近日(ri)，赛晶科技发布2023年业绩报告。2023年，公司销售收入约10.5亿元，同比增长15%；毛利率32%，同比增长4个百(bai)分点。受此影(ying)响，公司盈利水平实现(xian)逆势高增，归属母公司净利润约3155万元，同比增长高达(da)31%。在业绩说(shuo)明会上(shang)，公司还称力争实现(xian)2024年营收增长50%经营目标。
公司的业绩拐点正式确立。在强劲的盈利增长势头背后，是公司在特高压和功率半(ban)导体领域的发展发生了飞跃。
直流输电领域再迎突破(po)
公司为输配电工程提供阳极饱和电抗器、电力电容器等器件产品，业务主要涉及特高压直流输电、柔性(xing)直流输电项目。
电网输配电业务是公司的基本(ben)盘和压舱石。2023年，电网输配电业务表现(xian)非常亮眼。得益于特高压项目密集落地，公司的直流输电领域的销售收入同比增长43%，达(da)2.5亿元。
海通证券的研报认为，特高压建设在提速，金上(shang)-湖北，陇东-山东，哈密-重庆，宁(ning)夏-湖南直流特高压工程已经开工，2024年预计开工5条(tiao)直流特高压，2条(tiao)交流特高压。国联证券研究所指出，根据十四五规划，我国至少要建设直流特高压12条(tiao)，预计总投(tou)资在2400亿元以上(shang)。而(er)面向“十五五”的电网投(tou)资计划也有望陆续出炉。按照(zhao)十五五规划，预计年均开工3-4条(tiao)直流特高压，行业景气度将持续。而(er)根据2025年并网的规划，今明两年将是行业投(tou)资高速增长的阶段。作为行业龙头，公司在过去一年深度受益于特高压密集开工的红利，取得相关订(ding)单和交付增长；展望未来(lai)，这样高景气度很高机会将延续，使得实现(xian)成长加速跑。
值得一提的是，2024年初(chu)，公司的两款柔直用直流支撑(cheng)电容器顺利通过国家级新产品技术鉴(jian)定，为该类产品的批量工程应用做好了准备。
“柔直”指的是柔性(xing)直流输电技术（VSC-HVDC）。该技术是在传统直流输电技术基础上(shang)，使用了大功率IGBT替(ti)代了晶闸管(guan)，并利用脉宽调制技术进行电能(neng)的转换输送，无功补偿能(neng)力、无需支撑(cheng)电源、无换相失败(bai)、灵活的功率控制等方面具有很强的优势。可以说(shuo)，柔性(xing)直流输电技术是新一代电力电子技术在输电领域的应用，是电力电子技术的未来(lai)，具备广阔的发展空间。不过，国海证券研究所指出，在柔性(xing)直流输电技术中，其关键的柔直换流阀等关键设备中，电力电子器件对进口产品的依赖性(xing)较(jiao)高，仍存在核心(xin)技术受制于人、国产化率偏低等问题(ti)，全国产化发展步履缓慢(man)。赛晶科技取得的进步，加快了柔直工程中直流支撑(cheng)电容器大规模国产替(ti)代的步伐，同时也为公司进一步打开柔性(xing)直流输电业务的发展空间奠(dian)定基础。
高端功率半(ban)导体国产替(ti)代的中坚力量
除了在电力电子技术领域快速成长，公司的自研功率半(ban)导体也取得快速突破(po)。2023年，公司在功率半(ban)导体的潜力初(chu)步兑现(xian)，自研功率半(ban)导体业务收入8145万元，同比增长高达(da)105%，实现(xian)翻倍！可见，半(ban)导体业务已构(gou)成公司第二成长曲线，成为新的增长极。
国海证券指出，赛晶科技是业内技术领先并深具影(ying)响力的电力电子器件供应商和系统集成商，也是国际领先的创新研发型企业。根据公开消息，赛晶科技旗下拥有三家子公司入选2023年度第一批浙江省专精特新中小企业，能(neng)侧面说(shuo)明公司的研发实力获得官方的认可。
值得关注的是，赛晶科技深耕功率半(ban)导体领域多(duo)年，近年来(lai)在该领域势如破(po)竹(zhu)。
从功率半(ban)导体的发展轨迹来(lai)看，高功率、高频率（小型化）与低功耗(hao)是技术演进的方向。目前，功率器件主要包括功率二极管(guan)、双(shuang)极性(xing)晶体管(guan)、功率MOSFET和IGBT。其中MOSFET、IGBT 是功率分立器件中比重最大的产品。
2020年，赛晶科技正式发布IGBT首款产品；次年，公司首条(tiao)IGBT生产线竣工投(tou)产，i20 IGBT芯片和ED封装IGBT模块(kuai)实现(xian)量产。2023年，赛晶科技推出1700V IGBT及FRD芯片，ST封装IGBT模块(kuai)、HEEV封装SiC模块(kuai)、EVD封装IGBT模块(kuai)等多(duo)款新产品。据悉(xi)，SiC模块(kuai)是车规级产品。此外，赛晶科技启动了电压为1200V和1700V，包含Si IGBT和SiC MOSFET的多(duo)个系列(lie)芯片和模块(kuai)研发，有望于2024年内陆续推出。这意味着公司不仅向更高端的IGBT进发，还正在切(qie)入第三代半(ban)导体赛道。
按照(zhao)全球主流技术水平来(lai)说(shuo)，SIC MOSFET、IGBT等高端分立器件是功率器件中较(jiao)为尖端、技术含量较(jiao)高的分类。由于此类产品技术门(men)槛更高、工艺复杂性(xing)更强，因此我国整体产业技术水平仍与全球领先水平的仍存在较(jiao)大差距，是功率半(ban)导体国产替(ti)代的核心(xin)领域。不难看出，公司正向着“国际一流水平的国产功率半(ban)导体厂商”的目标快速前行。
赛晶科技半(ban)导体产品已顺利进入产业化阶段，并获得下游的认可。2023年，公司实现(xian)批量供货的客(ke)户(hu)群体达(da)38家，较(jiao)去年同期增长36%。“销售收入的94%都来(lai)自进入门(men)槛高、品质要求苛刻(ke)的新能(neng)源发电、储能(neng)和电动汽车领域。”赛晶科技管(guan)理层在业绩说(shuo)明会上(shang)表示。
值得一提的是，2023年，赛晶科技除了不断(duan)完善产品布局、提升产品渗透率，还持续扩充产能(neng)。在业绩说(shuo)明会上(shang)，赛晶科技管(guan)理层披露，2024年公司将加快产能(neng)扩充，力争完成第三条(tiao)IGBT模块(kuai)和第一条(tiao)碳化硅模块(kuai)封测生产线的建成。生产线建成后，有利于公司进行更高效的内部协同与生产研发，加快新产品及新工艺的快速推出。未来(lai)，公司有望加快迈(mai)向高端功率半(ban)导体大规模产业化的新阶段。
2023年业绩报告标志着赛晶科技业绩拐点的确立。在业绩背后，是公司在直接输电领域和功率半(ban)导体领域的持续发展和创新。随着公司逐步确立起在行业中的领导地位，未来(lai)可能(neng)实现(xian)更加可观(guan)的业绩增长。