人工智能需求推动(dong)，叠加过去两年资本支出不足，内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。
摩根士丹利(li)在(zai)新一期报告中指出，存储将出现“前所未有”的供需失衡，内存的价格也水涨船高：
人工智能的快速发展将导致DRAM和(he)HBM的供需失衡，预计2025年HBM的供应(ying)不足率为-11%，整个DRAM市场的供应(ying)不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应(ying)的30%。
由于DRAM供应(ying)不足，加之过去两年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为内存市场超级周期提(ti)供了动(dong)力(li)。
内存的价格也将水涨船高，预计商(shang)品存储产品的价格将在(zai)2024年每季(ji)度以两位数速度上涨，2025年HBM的价格将更高，服务器(qi)DRAM和(he)超高密度QLC固态硬(ying)盘将引领价格上涨。
人工智能的快速发展将导致DRAM和(he)HBM的供需失衡，预计2025年HBM的供应(ying)不足率为-11%，整个DRAM市场的供应(ying)不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应(ying)的30%。
由于DRAM供应(ying)不足，加之过去两年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为内存市场超级周期提(ti)供了动(dong)力(li)。
内存的价格也将水涨船高，预计商(shang)品存储产品的价格将在(zai)2024年每季(ji)度以两位数速度上涨，2025年HBM的价格将更高，服务器(qi)DRAM和(he)超高密度QLC固态硬(ying)盘将引领价格上涨。
进一步来看，在(zai)内存市场中的战略地位的公司(si)SK海力(li)士和(he)三星(xing)市场份额将进一步增长：
将内存行业2024-25年的每股(gu)收益(yi)预测提(ti)高了24-82%，较最新的预期共识高出51-54%；
其中，SK海力(li)士将独占鳌头，我(wo)们认(ren)为市场共识对(dui)其市场份额增长潜力(li)低估了。预计其在(zai)2025年将占据HBM市场的最大份额，利(li)润率也将大幅提(ti)高。
将内存行业2024-25年的每股(gu)收益(yi)预测提(ti)高了24-82%，较最新的预期共识高出51-54%；
其中，SK海力(li)士将独占鳌头，我(wo)们认(ren)为市场共识对(dui)其市场份额增长潜力(li)低估了。预计其在(zai)2025年将占据HBM市场的最大份额，利(li)润率也将大幅提(ti)高。
值得一提(ti)的是，客户的行为已经发生了变化(hua)，他们现在(zai)更加重视确保能够(gou)获得足够(gou)的内存供应(ying)，而不是仅仅关注价格。由于供应(ying)的不确定性，客户愿意为确保供应(ying)支付更高的价格
这个存储周期有所不同
摩根士丹利(li)指出，从历史来看，内存市场周期性明显，周期整体路(lu)径相似。一般是资本投资周期较长，扩展产能需要2-3个季(ji)度，而新工厂建设(she)需要2-3年。
内存行业通常每两年会出现一次短暂的供需平衡，这种周期性是由半导体制造业的长期资本投资周期驱动(dong)的，产能扩张周期中产能的扩张通常需要2-3个季(ji)度，而新晶圆厂的建设(she)和(he)投产则需要2-3年。
上行周期原因多样(yang)，包括(kuo)互联网(wang)、云计算、新冠病毒和(he)人工智能等，这些因素(su)使(shi)得公司(si)将周期视为新现象，但新的产能往往在(zai)行业最不需要的时候上线。
内存行业通常每两年会出现一次短暂的供需平衡，这种周期性是由半导体制造业的长期资本投资周期驱动(dong)的，产能扩张周期中产能的扩张通常需要2-3个季(ji)度，而新晶圆厂的建设(she)和(he)投产则需要2-3年。
上行周期原因多样(yang)，包括(kuo)互联网(wang)、云计算、新冠病毒和(he)人工智能等，这些因素(su)使(shi)得公司(si)将周期视为新现象，但新的产能往往在(zai)行业最不需要的时候上线。
但这个周期有所不同，摩根士丹利(li)指出：
与(yu)过去相比，当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平，自2022年第三季(ji)度以来产能一直(zhi)在(zai)下降。
这种投资的缺乏正发生在(zai)内存供应(ying)链迅(xun)速转移到HBM的之际(ji)，HBM每比特所需的晶圆容量是普通DRAM的两倍，其生产良率也较低。
与(yu)过去相比，当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平，自2022年第三季(ji)度以来产能一直(zhi)在(zai)下降。
这种投资的缺乏正发生在(zai)内存供应(ying)链迅(xun)速转移到HBM的之际(ji)，HBM每比特所需的晶圆容量是普通DRAM的两倍，其生产良率也较低。
摩根士丹利(li)预计，到2025年，HBM市场份额占比将增长，整体市场供应(ying)不足将更明显：
预计到2025年，HBM总可寻址市场（TAM）预计将显著(zhu)增长，从2025年的370亿美元增长到2027年的700亿美元，市场份额将占整个DRAM市场的30%以上，混合价格将上涨10%以上。
从2025年开始，智能手机和(he)个人电脑的人工智能升级周期可能需要额外的内存产能，预计市场届时将面临(lin)严重的供应(ying)短缺，HBM的供应(ying)不足率为-11%，整个DRAM市场的供应(ying)不足率为-23%。
预计到2025年，HBM总可寻址市场（TAM）预计将显著(zhu)增长，从2025年的370亿美元增长到2027年的700亿美元，市场份额将占整个DRAM市场的30%以上，混合价格将上涨10%以上。
从2025年开始，智能手机和(he)个人电脑的人工智能升级周期可能需要额外的内存产能，预计市场届时将面临(lin)严重的供应(ying)短缺，HBM的供应(ying)不足率为-11%，整个DRAM市场的供应(ying)不足率为-23%。
价格方面，SK海力(li)士和(he)三星(xing)电子都(dou)在(zai)积极扩展HBM和(he)DRAM的生产能力(li)，预计2024年第二季(ji)度DRAM合同价格将环比上涨13-18%，第三季(ji)度可能上涨10-15%。摩根士丹利(li)表示：
给予(yu)收益(yi)预测和(he)价格目标变化(hua)，我(wo)们将DRAM和(he)NAND的第三季(ji)度定价展望分别上调至13%和(he)20%，而之前的预测为DRAM 8%和(he)NAND 10%。
客户行为发生了变化(hua)，确保供应(ying)越来越多地优(you)先于定价，来自中国的订单智能手机oem应(ying)该会继续上升到第三季(ji)度，PC ODM/ oem将继续确保内存供应(ying)，同时为某些大型(xing)PC oem保持接近20周的库存。
行业产量仍低于需求，减(jian)产仍在(zai)继续，而需求环境的改善也为24年下半年的价格前景带来了更大的确定性。
给予(yu)收益(yi)预测和(he)价格目标变化(hua)，我(wo)们将DRAM和(he)NAND的第三季(ji)度定价展望分别上调至13%和(he)20%，而之前的预测为DRAM 8%和(he)NAND 10%。
客户行为发生了变化(hua)，确保供应(ying)越来越多地优(you)先于定价，来自中国的订单智能手机oem应(ying)该会继续上升到第三季(ji)度，PC ODM/ oem将继续确保内存供应(ying)，同时为某些大型(xing)PC oem保持接近20周的库存。
行业产量仍低于需求，减(jian)产仍在(zai)继续，而需求环境的改善也为24年下半年的价格前景带来了更大的确定性。
行业龙头公司(si)市场份额将进一步增长
AI驱动(dong)的内存“超级周期”将为行业战略地位的公司(si)：SK海力(li)士和(he)三星(xing)电子带来份额的增长。
摩根士丹利(li)将SK海力(li)士目标价提(ti)高11%至30万韩元，较目前有约30%的上涨空(kong)间，其预计海力(li)士2024年和(he)2025年的每股(gu)收益(yi)将比市场预期高出59%，海力(li)士2024年第三季(ji)度的业绩指引将会更高。
摩根士丹利(li)将三星(xing)电子目标价提(ti)高至10.5万韩元，较目前有36%上涨空(kong)间，并指出三星(xing)电子获得英伟(wei)达的资格在(zai)2025年将至关重要。
对(dui)三星(xing)来说，最好的结果是明年获得HBM3E资格，以避免GPU需求出现任(ren)何供应(ying)中断。最糟糕的情(qing)况是，三星(xing)可能需要将超过50亿Gb的HBM晶圆产能转向商(shang)品DRAM市场。如果三星(xing)的HBM晶圆产能转向DRAM，这可能会对(dui)DRAM市场供应(ying)产生显著(zhu)影响，增加供应(ying)增长。