在人工(gong)智能浪潮(chao)的带(dai)动下，两家内存芯(xin)片龙头三(san)星和SK海力士(shi)都在加紧高带(dai)宽内存（HBM）芯(xin)片的技术投入，争夺这块新兴市场的主(zhu)导权。
本周二，三(san)星电子任命(ming)了新的半导体业务主(zhu)管郑荣炫，旨在巩固公司在人工(gong)智能芯(xin)片领域的竞争力。公司在一(yi)份(fen)声明中指出，郑荣炫在三(san)星内存和电池制造部门(men)拥有丰富的管理经验(yan)，具备出任半导体业务主(zhu)管的资(zi)格(ge)。
三(san)星还表示，此番人事变动的目的是“在充满不确定性的全球商业环境下，增强公司的竞争实(shi)力”。原半导体业务主(zhu)管姜杰焕，将转岗负责(ze)未来事业部门(men)，专注于(yu)发掘新的增长机会(hui)以(yi)及管理三(san)星先进技术研究所。
目前(qian)，三(san)星正在与同(tong)为韩国企业的SK海力士(shi)展开激(ji)烈竞争，力求生产出最先进的内存芯(xin)片，抢夺HBM领域的市场份(fen)额。
从规模和市占率(lu)来看，三(san)星是内存芯(xin)片行(xing)业毋庸置疑的龙头老大，SK海力士(shi)排在第二位。但在HBM领域，SK海力士(shi)一(yi)直保持着领先地位，且是英伟达HBM3芯(xin)片的独家供应商。不过此前(qian)有报道(dao)称，英伟达也在考虑将三(san)星纳入HBM供应商行(xing)列，以(yi)应对SK海力士(shi)产能不足的问题。
晨星股(gu)票研究部主(zhu)管Kazunori Ito在本月初的一(yi)份(fen)报告(gao)中表示：
我们预(yu)计2025年高带(dai)宽内存市场的竞争将进一(yi)步加剧(ju)。在HBM3时代，SK海力士(shi)是英伟达的独家供应商，而且我们认为SK海力士(shi)与三(san)星之间存在几个季度(du)的技术差距。
不过，三(san)星似乎正在迅速缩小(xiao)这一(yi)差距。韩国媒体报道(dao)，三(san)星有望在今年二季度(du)内实(shi)现最新一(yi)代12层HBM3E芯(xin)片的量产，领先于(yu)三(san)季度(du)量产HBM3E的SK海力士(shi)。
我们预(yu)计2025年高带(dai)宽内存市场的竞争将进一(yi)步加剧(ju)。在HBM3时代，SK海力士(shi)是英伟达的独家供应商，而且我们认为SK海力士(shi)与三(san)星之间存在几个季度(du)的技术差距。
不过，三(san)星似乎正在迅速缩小(xiao)这一(yi)差距。韩国媒体报道(dao)，三(san)星有望在今年二季度(du)内实(shi)现最新一(yi)代12层HBM3E芯(xin)片的量产，领先于(yu)三(san)季度(du)量产HBM3E的SK海力士(shi)。
Kazunori Ito认为，这表明三(san)星正在快(kuai)速缩小(xiao)和SK海力士(shi)在技术上的差距。他预(yu)计，未来三(san)星、SK海力士(shi)和第三(san)大内存芯(xin)片厂美光，都有能力英伟达供应HBM3E，加剧(ju)价(jia)格(ge)竞争。