得益于AI开发热潮推动(dong)存储芯片价(jia)格反弹，三星电子(zi)今年(nian)第一季度利润大增，半导体业务自2022年(nian)以来首次(ci)恢复盈利。
4月30日，三星披露了第一季度财报数据：
营业利润增加至6.61万(wan)亿韩元（约48.5亿美元），同(tong)比猛(meng)增931.8%。
净利润为6.62万(wan)亿韩元，是上年(nian)同(tong)期的四倍多，高于分析师平均(jun)预测的5.63万(wan)亿韩元。
营业收入同(tong)比增长13%至71.9万(wan)亿韩元，其中内存芯片收入同(tong)比增长96%至17.49万(wan)亿韩元。
营业利润增加至6.61万(wan)亿韩元（约48.5亿美元），同(tong)比猛(meng)增931.8%。
净利润为6.62万(wan)亿韩元，是上年(nian)同(tong)期的四倍多，高于分析师平均(jun)预测的5.63万(wan)亿韩元。
营业收入同(tong)比增长13%至71.9万(wan)亿韩元，其中内存芯片收入同(tong)比增长96%至17.49万(wan)亿韩元。
这些(xie)数据表明(ming)，三星正在扭转全球(qiu)经(jing)济(ji)不确(que)定性引发的长达一年(nian)的业绩滑坡。2023年(nian)半导体部门亏损(sun)14.9万(wan)亿韩元后，该公(gong)司的整体营业利润骤降至15年(nian)低点。
现在，有(you)迹象表明(ming)市场(chang)正在逐(zhu)步复苏，部分受到ChatGPT问世后用于开发AI的芯片需求提(ti)振。三星芯片部门当季实现营业利润1.91万(wan)亿韩元，好于预期，去年(nian)同(tong)期亏损(sun)4.58万(wan)亿韩元，这也是该部门在连续四个季度亏损(sun)后首次(ci)恢复盈利。本月公(gong)布的韩国早期贸易数据显示，4月份的前20天(tian)半导体出口同(tong)比增长43%，继续引领韩国出口增长。
媒体援引大和资本市场(chang) (Daiwa Capital Markets) 的SK Kim表示：“我们认为意(yi)外盈利是由于AI驱动(dong)的强劲复苏周期内存价(jia)格上涨所致。我们预计该公(gong)司将引导积极的内存市场(chang)前景。”
根据数据提(ti)供商TrendForce的数据，第一季度，用于数据存储的NAND闪存芯片价(jia)格较上一季度上涨了23%至28%，而(er)用于各种科技设备(bei)的DRAM芯片价(jia)格上涨了约20%。
三星在一份声明(ming)中表示：“尽管宏观经(jing)济(ji)和地缘政治的不确(que)定性持续存在，但预计2024年(nian)下半年(nian)，围绕生成式AI的需求将继续保持强劲，市场(chang)状况仍然乐(le)观。”
值(zhi)得一提(ti)的是，三星的韩国竞争对手SK海力士上周也表示，随着AI需求的增长，内存芯片市场(chang)预计将全面复苏。同(tong)时，SK海力士的财报显示，其一季度营收和盈利均(jun)高于预期，收入达到12.4296万(wan)亿韩元，增长超一倍，创历史同(tong)期新高。一季度营业利润达到2.886 万(wan)亿韩元，同(tong)比扭亏为盈，环比大增734%。
此外，三星在财报电话会上透(tou)露，目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品，计划今年(nian)二季度量产。而(er)8层堆叠的HBM3 8H本月已开始初步量产。
三星还表示：
预计到今年(nian)年(nian)底，HBM3E将占总(zong)HBM销量的三分之二。
与去年(nian)相比，公(gong)司2024年(nian)的HBM供应量将至少增长三倍，与客户的供应协议也已达成。
预计到2025年(nian)，公(gong)司HBM芯片的供应量将至少比2024年(nian)翻一番。
预计到今年(nian)年(nian)底，HBM3E将占总(zong)HBM销量的三分之二。
与去年(nian)相比，公(gong)司2024年(nian)的HBM供应量将至少增长三倍，与客户的供应协议也已达成。
预计到2025年(nian)，公(gong)司HBM芯片的供应量将至少比2024年(nian)翻一番。
截至发稿，三星股价(jia)上涨1.56%，报77900韩元。不过，今年(nian)以来三星股价(jia)仍跌2.14%。