5月24日周五(wu)，三星电子发布官方声明，对外否认了此前有关(guan)“HBM芯片因(yin)发热(re)和(he)功耗问题而没能(neng)通过(guo)英伟达的测试”一传闻。

声明称(cheng)：

“我们与全球(qiu)多家客户HBM芯片的测试正在顺利进行，并正在进行各种测试以严格核实HBM芯片的质量和(he)性能(neng)。”

声明进一步解释称(cheng)，公司正在与客户共同优化(hua)HBM芯片的规格，这种高端(duan)内(nei)存芯片和(he)过(guo)去的DRAM芯片不同，需要根据客户需求进行定制。

HBM芯片（High Bandwidth Memory，高带宽内(nei)存）是内(nei)存芯片制造商在AI时代争夺(duo)的新战(zhan)场。在这一领域，三星电子正面临激烈竞争，其国内(nei)竞争对手(shou)SK海力士和(he)美光科技已经抢先一步，成为英伟达GPU存储器HBM3和(he)HBM3E的供应商。

此前受(shou)该传闻影(ying)响，三星股价在早间交易(yi)中(zhong)一度暴跌逾3%，跌至75700韩元（约合55美元），现股价有所回升至76500韩元。

尽管三星电子否认了测试失败的报道，但(dan)投(tou)资者对于该公司在高端(duan)内(nei)存芯片领域的竞争力仍持谨慎态度。

去年以来，三星最新的HBM3E已经进行了多次测试，但(dan)始(shi)终未能(neng)达标。有分析指(zhi)出，三星在HBM领域面临两(liang)大关(guan)键问题，一是内(nei)存芯片散(san)热(re)的问题，二就(jiu)是英伟达为首(shou)的芯片制造商的严格标准的挑战(zhan)。

本周二，三星电子任命新的半导(dao)体业务(wu)主管郑荣炫，称(cheng)人事变(bian)动的目的是“在充满不确(que)定性的全球(qiu)商业环境下，增强公司的竞争实力”。