金融界6月1日(ri)消息，有投资者在互动平台向澜起科技提问：请问，公司的DDR5内(nei)存模组市场地位如何？公司对于后续发展是怎(zen)么看待的？

公司回答表示(shi)：作为内(nei)存接口技术的领导者，澜起科技在全(quan)球微电子行业标准制定机(ji)构JEDEC中牵头(tou)制定DDR5 RCD、MDB芯片国际标准，并保持高水平研发投入，持续对产品进行迭代升级。目前公司在内(nei)存接口芯片领域(yu)的研发进度保持相对领先。

DDR5内(nei)存接口芯片未来的应(ying)用(yong)趋势主要包(bao)括以下几方面(mian)：

1、DDR5渗透率(lu)将进一步提升，同时DDR5内(nei)存接口芯片将持续进行子代迭代。行业预期DDR5下游渗透率(lu)将在今年年中超过50%。

2、在服务器端，随着AI相关应(ying)用(yong)的快速发展，对系统主内(nei)存的带宽(kuan)提出了更高的要求，将增(zeng)加(jia)对新型(xing)高带宽(kuan)内(nei)存模组MRDIMM的需(xu)求。由于MRDIMM采用(yong)“1颗MRCD+10颗MDB”的架构，MRDIMM逐步渗透将带动MRCD/MDB芯片需(xu)求的增(zeng)加(jia)。

3、在客户端，由于AI PC需(xu)要更高带宽(kuan)的内(nei)存提升整体运算性能，将增(zeng)加(jia)对更高速率(lu)DDR5内(nei)存的需(xu)求。当DDR5数据(ju)速率(lu)达(da)到6400MT/s及以上时，客户端内(nei)存模组如CUDIMM、CSODIMM等需(xu)要配置CKD芯片，将增(zeng)加(jia)行业对CKD芯片的需(xu)求。

MRCD/MDB芯片及CKD芯片均属于增(zeng)量蓝海市场。

来源:金融界AI电报