作者：周源/华尔街见闻
最近，英(ying)伟达(da)联合创始人(ren)兼CEO黄(huang)仁勋在台北(bei)Computex 2024展更新了AI GPU技术路线图，同时黄(huang)仁勋还澄清了三星(xing)电(dian)子HBM（高带宽存储器(qi)：High Bandwidth Memory）并没有因为(wei)过热问(wen)题而没有通过英(ying)伟达(da)质量测(ce)试。此事意味(wei)着(zhe)三星(xing)电(dian)子的HBM3e（第五代）将很快进入英(ying)伟达(da)AI加速(su)卡供应链。
黄(huang)仁勋说，“我们需要HBM数量非常大，因此供应速(su)度至关重要。我们正在与三星(xing)、SK 海力士和美光合作，我们将收到这三家公司的产品。“
之前(qian)有消(xiao)息称(cheng)，SK海力士和美光的HBM产能已排到2025年底，一方面说明英(ying)伟达(da)需要的HBM产能确实够多(duo)；另一方面，也在侧面说明HBM产能问(wen)题会成为(wei)英(ying)伟达(da)AI加速(su)卡出货(huo)量的障(zhang)碍(ai)。
从(cong)HBM的技术演(yan)进史可以看到，HBM原本作为(wei)GDDR的替代品。HBM技术迭代很快，性能越来越强，但成本也越来越高。
实际上(shang)，GDDR如今也已非昔(xi)日吴下阿蒙：今年3月6日，固态技术协会（JEDEC）确定了JESD239 GDDR7显卡技术规范标准，性能较(jiao)GDDR有巨幅(fu)提升，已有迹象显示出GDDR7的部(bu)分性能正在跨越To C消(xiao)费级范畴，迈向To B的HPC（高性能计(ji)算）领域。故(gu)而，GDDR7也开始有了弥补高成本HBM缺陷的实力。
新战场(chang)：GDDR7来了
6月4日，美光宣布开始为(wei)下一代GPU提供GDDR7内存样品：有28GB/s和32GB/s两种速(su)率。其中，32GB/s GDDR7提供的内存带宽比GDDR6高出60%；在384位总线上(shang)，内存带宽能达(da)到1.5TB/s。GDDR6在RTX 4090等GPU最高带宽为(wei)1TB/s。
美光GDDR7采(cai)用其1β (1-beta) DRAM 技术制造。在最新路线图中，美光公布了到2026年，达(da)到36GB和24GB+的内存模(mo)块；三星(xing)电(dian)子的目标是实现32GB的速(su)率，但没有公布中期速(su)率目标。
今年3月，三星(xing)电(dian)子和SK海力士在英(ying)伟达(da)GTC大会上(shang)也披(pi)露了各自的GDDR7技术参数。现在，三家主流供应商等于又开辟了一个新战场(chang)：GDDR7。
按(an)照不同应用场(chang)景划分，JEDEC将DRAM分成标准DDR、LPDDR和GDDR三类。其中，DDR主要应用于服务器(qi)和PC端（桌面），LPDDR主要应用于手(shou)机端和PC（笔电(dian)），GDDR的主要应用领域为(wei)图像处理领域。
在DARM产业格局方面，三星(xing)、SK海力士和美光三足鼎立。当前(qian)代际DDR5/LPDDR5主流市场(chang)的主要竞争由这三家展开。此外，中国台湾存储企业华邦及南亚科技，中国大陆存储企业长鑫存储也将目光聚焦在这块市场(chang)。
什么是GDDR？
GDDR，英(ying)文全称(cheng)Graphics Double Data Rate：双(shuang)图像倍数据速(su)率。这是一种专为(wei)图形(xing)处理单元（GPU）设计(ji)的同步双(shuang)数据速(su)率动态随机存取存储器(qi)（SDRAM）。
1998年，三星(xing)电(dian)子推出业界首款16 Mb GDDR内存芯片。自此，GPU和CPU内存开始有了各自独立的技术路线和产品。最初，GPU显卡内存和CPU内存可以通用。1998年之后，GPU开始有专用显存——GDDR。
3月6日，JEDEC发(fa)布JESD239 GDDR7显卡技术规范，旨在提供更高带宽、更高数据传输速(su)率、更高能效和更大存储容量，以支持未来高性能计(ji)算应用的发(fa)展。
目前(qian)，市场(chang)首批GDDR7显存容量仅2GB（16Gb），与GDDR6/6X一致。JEDEC表示，未来会有3GB、4GB、6GB甚至8GB。首发(fa)搭载GDDR7的是英(ying)伟达(da)RTX 50系列和AMD RX 8000系列。
据JEDEC披(pi)露，JESD239 GDDR7是首款使用脉(mai)冲幅(fu)度调(diao)制（PAM）接(jie)口作高频操作的JEDEC标准DRAM。
GDDR7的带宽是GDDR6的两倍：即192GB/s。这通过了增加独立通道数量至4个实现。GDDR7也支持16Gbit至32Gbit的密度，包括支持双(shuang)通道模(mo)式，可实现系统容量的翻倍，孤儿能满足未来图形(xing)、游戏、计(ji)算、网络和人(ren)工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。
与HBM通常用于超算（高性能计(ji)算：HPC）中心AI算力集群不同，GDDR主要用于游戏、专业图形(xing)设计(ji)/渲染、科学和工程模(mo)拟、虚拟现实、可视化(hua)应用（消(xiao)费级）和AI边缘计(ji)算的ML（机器(qi)学习）。
下半(ban)年三巨头角(jiao)逐
美光GDDR7内存样品的工作电(dian)压为(wei)1.2V（前(qian)代GDDR6工作电(dian)压为(wei)1.35V），与JEDEC的GDDR7技术规范吻合；工作效率相比前(qian)代提升50%。之所以能实现这一点，主要是因为(wei)美光采(cai)用了分割电(dian)压平面、部(bu)分设备运行(xing)和休眠模(mo)式。
此外，美光还采(cai)用FBGA更薄的封(feng)装(zhuang)高度（1.1mm对比1.2mm）和高热导EMC封(feng)装(zhuang)，故(gu)而达(da)成了65%更高的热阻，这为(wei)台式机和笔电(dian)提供了更高效的热管理。
这些特(te)性，除了更进一步提升美光GDDR7在GDDR传统应用领域的性能，另外在生成式AI和HPC等需要更高性能带宽的尖端领域，也有了广阔前(qian)景。这就意味(wei)着(zhe)，GDDR7突破了以往的性能瓶颈，开始有了能与低端HBM相媲美的性能表现。
这让GDDR有能力实现破圈：从(cong)To C的消(xiao)费级GPU应用，迈向To B的企业级高性能市场(chang)。
据美光官方信息，在游戏领域，美光的GDDR7样品预计(ji)每秒帧数（FPS）提升幅(fu)度超过30%，特(te)别是光线追踪和光栅化(hua)工作负载。
生成式AI方面，美光GDDR7提供超过1.5TB/s的高系统带宽，预计(ji)可将生成式AI文本到图像生成的响应时间加快20%；在HPC，GDDR7预计(ji)能减少更多(duo)处理时间，实现复(fu)杂工作负载（如动画、3D设计(ji)、科学仿真和金融建(jian)模(mo)）的无缝多(duo)任务处理。
当然，GDDR7性能提升幅(fu)度虽然相比GDDR6更高，但依然无法与HBM3/3e相比，更遑论HBM4，但GDDR7提升后的整体性能，与HBM2或许可以等量齐观。
三星(xing)电(dian)子在3月的英(ying)伟达(da)GTC大会上(shang)也披(pi)露了其GDDR7的部(bu)分技术参数，比如三星(xing)GDDR7能在仅1.1V的DRAM电(dian)压下实现32 Gbps的速(su)度（与GDDR6X相比提升33%），超过了JEDEC的GDDR7技术规范的1.2V电(dian)压标准。这项(xiang)性能主要是通过首次应用PAM3信号实现的。
同时，三星(xing)GDDR7能实现最高192GB/s的显存速(su)度，单颗显存容量2GB；通过加持三星(xing)电(dian)子特(te)有的其他电(dian)源管理创新，三星(xing)GDDR7能效提高幅(fu)度提升了20%，发(fa)热量（热阻）减少70%，待机功耗降低50%。
作为(wei)存储三巨头之一，SK海力士自然也不会缺席。海力士GDDR7最大带宽达(da)到160GB/s，是其上(shang)一代产品（GDDR6位80GB/s）的两倍，功耗效率提升40%；内存密度提升1.5倍，故(gu)而视觉(jue)效果也进一步得(de)到增强。
目前(qian)，海力士16Gb GDDR7预计(ji)将在今年三四季度实现批量出货(huo)，三星(xing)也在出样品的过程中；美光GDDR7内存将于今年下半(ban)年发(fa)售。意外的是AMD，据美光透露，AMD也会加入GDDR7市场(chang)角(jiao)逐。