日(ri)前，据美国科技网站Tomshardware报道，中国存储芯片厂商长江存储再度在美国加州北区对(dui)美光提起诉讼，指(zhi)控这家美国公司侵(qin)犯了其11项专利，涉及3D NAND的各个方面(mian)。长江存储请求法院下(xia)令，要求美光停止在美国销售(shou)其闪存，并向其支付专利使用费(fei)。
长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵(qin)犯了其在美国提交(jiao)的11项专利或专利申请，它们(men)涵盖了3D NAND和DRAM功能的基本(ben)方面(mian)。
2022年底，美国商务部根据所谓(wei)的“证据”，以威胁其国家安全为由(you)，将长江存储列入了实体清单，使其不能从美国获(huo)得128层及以上的3D NAND的晶圆制造设备和技术(shu)。
这次(ci)起诉，并非长江存储在美国的第一次(ci)“反击(ji)”。2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院，对(dui)美光及子公司美光消费(fei)类(lei)产品事(shi)业部提起诉讼，指(zhi)控美光侵(qin)犯8项与3D NAND Flash相(xiang)关的美国专利。
2023年11月,长江存储指(zhi)控美光侵(qin)犯8项与3D NAND Flash相(xiang)关的美国专利X@lithos_graphein
另外，今年6月7日(ri)，长江存储在美国加州北区联邦地区法院提起诉讼，指(zhi)控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及副总裁雷(lei)顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。
此外，长江存储仍在努力(li)利用国内技术(shu)和原有设备继续发展其3D NAND存储器。该公司的Xtacking3.0闪存已投入量产（其中一些设备甚(shen)至不违反美国制裁），具有高达2400 MT/s的接口。
今年早些时候(hou)，长江存储表示已成功将3D QLC NAND的耐用性大幅(fu)提高到(dao)3D TLC NAND的水平（达到(dao)4000次(ci)编(bian)程(cheng)/擦除周期），这显著改善了廉价(jia)SSD的特性。
Patriot Memory的Viper PD573 SSDTomshardware
值得一提的是，媒体6月报道，美国的Patriot Memory正在准备一款高端新产品——Viper PD573 SSD ，基于(yu)中国联芸科技的控制器和长江存储的3D NAND闪存，其读取速(su)度高达14GB/s，写入速(su)度达到(dao) 12GB/s。这一合作进一步(bu)证明了长江存储在3D NAND闪存市场上的重要地位。
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