5月24日周五，三星电子(zi)发布官方声明(ming)，对外否认了此前有关“HBM芯(xin)片(pian)因(yin)发热和功(gong)耗问题而没能通过英伟达的测试”一传闻。

声明(ming)称：

“我们与全球多家客户HBM芯(xin)片(pian)的测试正在顺利(li)进行，并(bing)正在进行各种测试以严格(ge)核实HBM芯(xin)片(pian)的质量和性能。”

声明(ming)进一步(bu)解释(shi)称，公司正在与客户共同(tong)优(you)化HBM芯(xin)片(pian)的规格(ge)，这种高端内存芯(xin)片(pian)和过去的DRAM芯(xin)片(pian)不同(tong)，需要根据客户需求进行定制。

HBM芯(xin)片(pian)（High Bandwidth Memory，高带宽(kuan)内存）是(shi)内存芯(xin)片(pian)制造商(shang)在AI时代争夺的新(xin)战场。在这一领域，三星电子(zi)正面临激烈竞争，其国内竞争对手SK海力士和美光科技已经抢先一步(bu)，成为英伟达GPU存储(chu)器(qi)HBM3和HBM3E的供应商(shang)。

此前受该传闻影响，三星股价在早间(jian)交易中一度(du)暴跌逾3%，跌至75700韩元（约合55美元），现股价有所回升至76500韩元。

尽管(guan)三星电子(zi)否认了测试失(shi)败的报道，但投(tou)资者对于该公司在高端内存芯(xin)片(pian)领域的竞争力仍持谨(jin)慎态度(du)。

去年以来，三星最新(xin)的HBM3E已经进行了多次(ci)测试，但始终未能达标。有分析指出，三星在HBM领域面临两大(da)关键(jian)问题，一是(shi)内存芯(xin)片(pian)散热的问题，二就是(shi)英伟达为首(shou)的芯(xin)片(pian)制造商(shang)的严格(ge)标准的挑战。

本周二，三星电子(zi)任(ren)命新(xin)的半导体业务主管(guan)郑荣炫，称人事变动(dong)的目的是(shi)“在充满不确定性的全球商(shang)业环境下，增强公司的竞争实力”。