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南雄喝茶新茶老班章外卖海选工作室,芯片需求大爆炸!SK海力士Q1业绩“炸裂”,还要豪掷150亿美元建厂,产品,股价,计划
2024-06-10 11:48:20
南雄喝茶新茶老班章外卖海选工作室,芯片需求大爆炸!SK海力士Q1业绩“炸裂”,还要豪掷150亿美元建厂,产品,股价,计划

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AI狂欢潮下,韩国芯片巨头SK海力士将迎来创纪录的一年。

4月25日,SK海力士公布最(zui)新季度财(cai)报,由于闪存(NAND)部门销量大增,先进(jin) DRAM 芯片卖(mai)爆,Q1营收创下历史新高,营业利润创第二高。

作为英伟达等科技巨头的芯片制造供应商,SK海力士在过去12个(ge)月股价(jia)近乎翻倍,今年迄今累(lei)计涨幅超20%,是仅次(ci)于三星电(dian)子(zi)的全球第二大芯片制造商。

不过虽然(ran)业绩表现(xian)强劲,公司股价(jia)今日不涨反跌。截至发稿(gao),SK海力士在韩股市场下跌超4%报171300韩元。

Q1业绩大爆炸

财(cai)报显示,SK海力士第一季度收入为12.43万亿(yi)韩元(约合90亿(yi)美(mei)元),同比增长144%,创历史新高。

营业利润为2.886万亿(yi)韩元(约合20.98亿(yi)美(mei)元)营业利润率为23%,同比扭亏(kui)为盈,并创下历年同期第二高纪录

净利润为1.92万亿(yi)韩元(合13.9亿(yi)美(mei)元),净利润率为15%,此前已连续五个(ge)季度出现(xian)净亏(kui)损

这份强劲的业绩,SK海力士将其归功于“AI服务器产品的销售增长,以及推动盈利的努力”。

其凭借高带(dai)宽内存(HBM)等人工智能(AI)芯片技术优势,致力于提升AI服务器芯片销量,并维持以盈利为主的管理模(mo)式,由此取得营业利润环比骤增734%的佳绩。

闪存方面,随(sui)着属于高端产品的企业级固态硬(ying)盘(eSSD)销量比重、平均售价(jia)的提高,NAND业务成功实现(xian)扭亏(kui)为盈。

SK海力士认(ren)为,在经历了长期的低迷之后,公司已经进(jin)入了明显反弹的阶段。

公司还预测,随(sui)着AI内存需求的持续增长,未来几个(ge)月整体内存市场将稳步增长,而传统DRAM市场也将从下半(ban)年开始复苏。

首席运营官 Kim Woo Hyun 在财(cai)报电(dian)话会议上表示,对企业级固态硬(ying)盘的需求帮助 SK 海力士的 NAND 业务在第一季度恢复盈利。

他表示,2024 年的投资将略高于年初(chu)的计划,其中大部分支出将集中在高利润产品和基础设(she)施上,以实现(xian)中期增长。

“撸起袖子(zi)加油干”!

随(sui)着人工智能芯片需求激增之下,SK 海力士成为AI采(cai)用(yong)爆炸式增长的最(zui)大受(shou)益者。

在芯片市场上,英伟达占据(ju)了AI芯片80%的市场份额,而作为英伟达的HBM3唯一供应商,SK 海力士无疑已经准备好要(yao)“起飞”。

为了满足AI内存需求,SK海力士接下来准备“撸起袖子(zi)加油干”。

DRAM领域,公司计划增加HBM3E的供应量,HBM3E已于3月开始量产,这是业内首次(ci),同时扩(kuo)大客(ke)户群。

该公司还将在年内推出基于1bnm工艺的32Gb DDR5产品,这是第五代10nm技术,以加强其在大容量服务器DRAM市场的领导地(di)位。

对于NAND业务,SK海力士将寻求产品优化,以维持盈利复苏的趋势。

SK海力士将积极增加其美(mei)国子(zi)公司Solidigm的高性能16通道(dao)eSSD和基于QLC1的高容量eSSD的销售。以及尽早推出第五代面向AI PC的PCIe cSSD,以优化产品阵容来响应市场需求。

本周早些时候(hou),SK 海力士表示拟在韩国投资约150亿(yi)美(mei)元,以满足HBM芯片产能

日前,SK海力士宣布将投资5.3 万亿(yi)韩元(38.6亿(yi)美(mei)元)在韩国生产DRAM芯片。

公司计划于 4 月底开始建设(she)名为 M15X 的芯片工厂,并计划在 2025 年 11 月之前实现(xian)量产,以满足对AI芯片的激增需求。

新生产基地(di)旨在增加DRAM产能,重点(dian)是HBM。SK海力士表示,从长远来看,总投资将超过20万亿(yi)韩元(约合146亿(yi)美(mei)元)

对此,Counterpoint Research 总监 Tom Kang 表示,SK海力士今年的高端内存产能已被预订满,需要(yao)新工厂来满足需求。

他表示,SK 海力士预计今年营收将达到近 61 万亿(yi)韩元,利润率将超过 20%。

“这对于 SK 海力士来说是一个(ge)明显的转变,也是破纪录的一年的开始。”

另外,SK海力士还在推进(jin)韩国龙仁半(ban)导体集群投资计划,最(zui)终将向该集群注入约120万亿(yi)韩元。计划明年在龙仁市开始建设(she)第一座晶圆厂,并于 2027 年竣工。

公司还计划在美(mei)国印第安纳州投资39亿(yi)美(mei)元建立一个(ge)高端封装工厂和AI产品研究中心。

与此同时,SK海力士还准备和台积电(dian)合作,打造高带(dai)宽存储器4芯片和下一代封装技术。HBM4芯片预计将于2026年开始量产。

在财(cai)报电(dian)话会议上,首席财(cai)务官金宇炫说,凭借由HBM领导的人工智能存储领域业界最(zui)佳技术,SK海力士已经进(jin)入了一个(ge)明确(que)的复苏阶段。

“我们将通过在正确(que)的时间提供业内表现(xian)最(zui)佳的产品并维持盈利至上的承诺,继续努力改善我们的财(cai)务业绩。”
发布于:广东省
版权号:18172771662813
 
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