在人工(gong)智能浪潮的带动下，两家内存芯片龙头(tou)三星和SK海力士都在加(jia)紧高带宽(kuan)内存（HBM）芯片的技术投入(ru)，争夺这块新兴(xing)市场的主导权。
本周二，三星电子任命了新的半(ban)导体业务主管郑荣炫，旨在巩固公(gong)司在人工(gong)智能芯片领域的竞争力。公(gong)司在一份声(sheng)明中指出，郑荣炫在三星内存和电池(shi)制造部门拥有丰富的管理经验(yan)，具备出任半(ban)导体业务主管的资格(ge)。
三星还表示，此番人事变动的目的是“在充满不确定性的全球商业环境下，增强公(gong)司的竞争实力”。原(yuan)半(ban)导体业务主管姜杰焕，将转岗负责未来事业部门，专注于发掘新的增长(chang)机会以及(ji)管理三星先进技术研究所。
目前，三星正在与同(tong)为韩国企业的SK海力士展开激烈(lie)竞争，力求生产出最先进的内存芯片，抢夺HBM领域的市场份额。
从规模和市占(zhan)率来看，三星是内存芯片行(xing)业毋(wu)庸(yong)置疑的龙头(tou)老大，SK海力士排在第二位。但(dan)在HBM领域，SK海力士一直保持着领先地位，且是英伟达HBM3芯片的独家供应商。不过此前有报道称(cheng)，英伟达也在考虑将三星纳入(ru)HBM供应商行(xing)列，以应对SK海力士产能不足的问题。
晨星股票研究部主管Kazunori Ito在本月初的一份报告中表示：
我(wo)们预计2025年(nian)高带宽(kuan)内存市场的竞争将进一步加(jia)剧。在HBM3时代，SK海力士是英伟达的独家供应商，而且我(wo)们认为SK海力士与三星之间存在几个季度(du)的技术差距。
不过，三星似乎正在迅速(su)缩小这一差距。韩国媒体报道，三星有望在今年(nian)二季度(du)内实现最新一代12层(ceng)HBM3E芯片的量产，领先于三季度(du)量产HBM3E的SK海力士。
我(wo)们预计2025年(nian)高带宽(kuan)内存市场的竞争将进一步加(jia)剧。在HBM3时代，SK海力士是英伟达的独家供应商，而且我(wo)们认为SK海力士与三星之间存在几个季度(du)的技术差距。
不过，三星似乎正在迅速(su)缩小这一差距。韩国媒体报道，三星有望在今年(nian)二季度(du)内实现最新一代12层(ceng)HBM3E芯片的量产，领先于三季度(du)量产HBM3E的SK海力士。
Kazunori Ito认为，这表明三星正在快速(su)缩小和SK海力士在技术上的差距。他预计，未来三星、SK海力士和第三大内存芯片厂(chang)美光，都有能力英伟达供应HBM3E，加(jia)剧价格(ge)竞争。