作者：周源/华尔街见闻
三(san)星电子终于松了一口气。
7月18日，华尔街见闻从供应链(lian)独家获悉，三(san)星电子HBM3E已通过(guo)英伟(wei)达测试。
这是三(san)星电子自今年年初至今，先后四次或成立、或改(gai)组既有半(ban)导体(ti)业务团队为专门的HBM小组，集中力量攻坚HBM技(ji)术，誓要拿下“英伟(wei)达AI加(jia)速卡”HBM供应商资格的重大成果。
7月16日，中国(guo)台(tai)湾供应链(lian)有消(xiao)息称，三(san)星电子之前要求其合作伙伴拨出与HBM3E供应有关的产(chan)能准备。集邦咨询(xun)也有消(xiao)息称，三(san)星电子供应链(lian)已转动起(qi)来，有望今年第(di)3季(ji)度开(kai)始向英伟(wei)达出货。
7月31日，三(san)星将举(ju)行(xing)财务报告会议。业界(jie)预期，三(san)星极有可(ke)能在那时会公(gong)告通过(guo)英伟(wei)达HBM认证的消(xiao)息。
三(san)星电子为了通过(guo)英伟(wei)达测试，也想重新(xin)夺回HBM技(ji)术和市场份额优势，在2024年1-7月，先后四次调整(zheng)半(ban)导体(ti)业务线，为这项目标(biao)开(kai)辟道路。
最近一次是在今年7月4日，三(san)星电子负责半(ban)导体(ti)业务的设备解决方案（DS）部门做(zuo)了改(gai)组，新(xin)设HBM研发组。
三(san)星电子副社(she)长(chang)、高性能DRAM设计专家孙(sun)永洙(zhu)（Son Young-Soo）担任该研发组组长(chang)，带领(ling)团队集中研发HBM3、HBM3E和新(xin)一代HBM4技(ji)术。同时，三(san)星电子还重组了先进封装（AVP）团队和设备技(ji)术实验所，以提升整(zheng)体(ti)技(ji)术竞(jing)争力。
这是继5月全(quan)永铉（Young Hyun Jun）代替庆(qing)桂显（Kyung Kye-hyun）担任DS部门负责人后的又一次大规模组织结(jie)构调整(zheng)。
三(san)星电子DS部门，即设备解决方案部门，主要负责存(cun)储(chu)、系统、晶圆代工(gong)的半(ban)导体(ti)相关业务。
其中，存(cun)储(chu)业务涵盖DRAM内存(cun)和NAND闪存(cun)的开(kai)发、制造和战略营销；系统LSI业务包括系统级芯片设计、制造和销售；晶圆代工(gong)业务为其他公(gong)司制造半(ban)导体(ti)芯片。这个部门在三(san)星电子的半(ban)导体(ti)业务中扮演着关键(jian)角色，致力于推(tui)动技(ji)术创新(xin)和业务发展(zhan)。
全(quan)永铉（Jun Young-hyun）最早(zao)于2000年加(jia)入三(san)星电子的内存(cun)芯片业务团队。2014至2017年期间，全(quan)永铉担任DRAM和内存(cun)芯片开(kai)发业务负责人。之后，全(quan)永铉转任三(san)星电池制造商三(san)星SDI的首席执行(xing)官，负责电池业务。
孙(sun)永洙(zhu)负责的HBM小组称为“HBM开(kai)发团队”，取代之前包括“HBM产(chan)能质量提升团队”在内的两个专门的HBM技(ji)术团队，集中技(ji)术力量和内部资源攻坚HBM3E和HBM4的技(ji)术开(kai)发工(gong)作，以此在HBM业务范围内追赶(gan)领(ling)先者SK海力士。
看起(qi)来孙(sun)永洙(zhu)的工(gong)作卓有成效，在他领(ling)导的“HBM开(kai)发团队”成立仅两周（14天），或者更早(zao)，三(san)星电子HBM3E就通过(guo)了英伟(wei)达技(ji)术测试。
值得一提的是，三(san)星电子在HBM4（第(di)六(liu)代）产(chan)品(pin)中用自家的4nm制程(cheng)工(gong)艺(yi)制造逻(luo)辑(ji)芯片。目前，三(san)星电子4nm工(gong)艺(yi)制程(cheng)的良品(pin)率已超70%。
HBM的逻(luo)辑(ji)芯片，即Logic Die，SK海力士口径是基(ji)础裸片Base Die，美光科(ke)技(ji)则用接口芯片Interface Die概称。
上(shang)图图示为美光科(ke)技(ji)HBM3E微观(guan)物(wu)理结(jie)构图。
其中，DRAM Die为HBM内存(cun)提供内存(cun)容量；Interface Die（即 Logic Die）是DRAM堆栈的控(kong)制单元，也负责通过(guo)互连层与处理器的内存(cun)接口通信。因此， Logic Die是HBM内存(cun)的重要组成部分(fen)。
由于HBM4的逻(luo)辑(ji)芯片需要支持更多的信号(hao)引脚、更大的数据带宽和承载(zai)部分(fen)客户定制功能，因此存(cun)储(chu)厂商开(kai)始选择与逻(luo)辑(ji)晶圆厂合作，用逻(luo)辑(ji)半(ban)导体(ti)工(gong)艺(yi)生产(chan)HBM4的逻(luo)辑(ji)芯片。
SK海力士的HBM4逻(luo)辑(ji)芯片，此前有消(xiao)息传出，其将采(cai)用台(tai)积电7nm工(gong)艺(yi)制程(cheng)。最近，业界(jie)有消(xiao)息称，SK海力士的HBM4，将用台(tai)积电5nm工(gong)艺(yi)制程(cheng)替换(huan)此前的7nm工(gong)艺(yi)。
据美光科(ke)技(ji)财报显示，HBM3E在同一技(ji)术节(jie)点中生产(chan)给定数量，所消(xiao)耗的晶圆供应量大约是DDR5的三(san)倍。因此，三(san)星电子将从DDR5产(chan)能中调拨约30%的比重，专项生产(chan)HBM。但(dan)此则消(xiao)息未获三(san)星电子官方确认。
尽(jin)管如此，业界(jie)仍相信这则消(xiao)息的可(ke)靠性。
鉴于三(san)星电子是全(quan)球DRAM龙头，市占率高达45%，若其调拨30%的DRAM产(chan)能给予HBM，则会削减约13%的DRAM全(quan)球供应量，故(gu)而DRAM供应缺口甚至比HBM更大，价格也会继续(xu)上(shang)扬。