AI狂欢潮下，韩国芯片(pian)巨(ju)头SK海力(li)士将迎来创纪录的一(yi)年。
4月(yue)25日(ri)，SK海力(li)士公布最新季度财报，由于闪(shan)存（NAND）部门销量(liang)大增，先(xian)进 DRAM 芯片(pian)卖爆，Q1营收创下历史新高，营业利(li)润(run)创第二高。
作为英伟达等(deng)科技巨(ju)头的芯片(pian)制造供应商，SK海力(li)士在过去12个月(yue)股价近乎翻倍，今年迄今累计涨(zhang)幅超20%，是仅次于三星电子的全球第二大芯片(pian)制造商。
不过虽(sui)然业绩表现强劲，公司(si)股价今日(ri)不涨(zhang)反跌(die)。截至发稿，SK海力(li)士在韩股市场下跌(die)超4%报171300韩元。
Q1业绩大爆炸
财报显示，SK海力(li)士第一(yi)季度收入为12.43万亿韩元（约合90亿美元），同比增长144%，创历史新高。
营业利(li)润(run)为2.886万亿韩元（约合20.98亿美元），营业利(li)润(run)率为23%，同比扭亏为盈，并创下历年同期第二高纪录。
净利(li)润(run)为1.92万亿韩元（合13.9亿美元），净利(li)润(run)率为15%，此前已连续五个季度出现净亏损。
这(zhe)份强劲的业绩，SK海力(li)士将其归(gui)功于“AI服务器产品的销售(shou)增长，以及推动盈利(li)的努(nu)力(li)”。
其凭借高带宽内存（HBM）等(deng)人工智能（AI）芯片(pian)技术优势，致力(li)于提升AI服务器芯片(pian)销量(liang)，并维持以盈利(li)为主的管(guan)理模式，由此取得营业利(li)润(run)环比骤增734%的佳绩。
闪(shan)存方面，随(sui)着(zhe)属于高端产品的企业级固态硬盘(pan)（eSSD）销量(liang)比重、平均(jun)售(shou)价的提高，NAND业务成功实现扭亏为盈。
SK海力(li)士认为，在经历了长期的低迷之后，公司(si)已经进入了明显反弹(dan)的阶(jie)段。
公司(si)还预测，随(sui)着(zhe)AI内存需(xu)求的持续增长，未来几个月(yue)整体内存市场将稳步(bu)增长，而传统DRAM市场也将从下半年开始(shi)复(fu)苏。
首(shou)席运营官 Kim Woo Hyun 在财报电话(hua)会议上表示，对企业级固态硬盘(pan)的需(xu)求帮助 SK 海力(li)士的 NAND 业务在第一(yi)季度恢复(fu)盈利(li)。
他表示，2024 年的投资将略高于年初(chu)的计划，其中(zhong)大部分支出将集中(zhong)在高利(li)润(run)产品和基础(chu)设(she)施(shi)上，以实现中(zhong)期增长。
“撸起袖子加油干(gan)”！
随(sui)着(zhe)人工智能芯片(pian)需(xu)求激增之下，SK 海力(li)士成为AI采(cai)用爆炸式增长的最大受(shou)益(yi)者。
在芯片(pian)市场上，英伟达占据了AI芯片(pian)80%的市场份额，而作为英伟达的HBM3唯一(yi)供应商，SK 海力(li)士无疑已经准备好要“起飞”。
为了满(man)足AI内存需(xu)求，SK海力(li)士接下来准备“撸起袖子加油干(gan)”。
DRAM领域(yu)，公司(si)计划增加HBM3E的供应量(liang)，HBM3E已于3月(yue)开始(shi)量(liang)产，这(zhe)是业内首(shou)次，同时扩大客户群。
该公司(si)还将在年内推出基于1bnm工艺(yi)的32Gb DDR5产品，这(zhe)是第五代(dai)10nm技术，以加强其在大容量(liang)服务器DRAM市场的领导地位。
对于NAND业务，SK海力(li)士将寻求产品优化，以维持盈利(li)复(fu)苏的趋势。
SK海力(li)士将积极增加其美国子公司(si)Solidigm的高性能16通道(dao)eSSD和基于QLC1的高容量(liang)eSSD的销售(shou)。以及尽早推出第五代(dai)面向(xiang)AI PC的PCIe cSSD，以优化产品阵(zhen)容来响(xiang)应市场需(xu)求。
本周(zhou)早些(xie)时候(hou)，SK 海力(li)士表示拟(ni)在韩国投资约150亿美元，以满(man)足HBM芯片(pian)产能。
日(ri)前，SK海力(li)士宣布将投资5.3 万亿韩元（38.6亿美元）在韩国生产DRAM芯片(pian)。
公司(si)计划于 4 月(yue)底开始(shi)建设(she)名为 M15X 的芯片(pian)工厂，并计划在 2025 年 11 月(yue)之前实现量(liang)产，以满(man)足对AI芯片(pian)的激增需(xu)求。
新生产基地旨在增加DRAM产能，重点是HBM。SK海力(li)士表示，从长远来看(kan)，总投资将超过20万亿韩元（约合146亿美元）。
对此，Counterpoint Research 总监 Tom Kang 表示，SK海力(li)士今年的高端内存产能已被预订满(man)，需(xu)要新工厂来满(man)足需(xu)求。
他表示，SK 海力(li)士预计今年营收将达到近 61 万亿韩元，利(li)润(run)率将超过 20%。
“这(zhe)对于 SK 海力(li)士来说是一(yi)个明显的转变，也是破纪录的一(yi)年的开始(shi)。”
另外，SK海力(li)士还在推进韩国龙仁半导体集群投资计划，最终将向(xiang)该集群注入约120万亿韩元。计划明年在龙仁市开始(shi)建设(she)第一(yi)座晶圆厂，并于 2027 年竣工。
公司(si)还计划在美国印第安纳州投资39亿美元建立一(yi)个高端封装工厂和AI产品研究(jiu)中(zhong)心。
与此同时，SK海力(li)士还准备和台积电合作，打造高带宽存储器4芯片(pian)和下一(yi)代(dai)封装技术。HBM4芯片(pian)预计将于2026年开始(shi)量(liang)产。
在财报电话(hua)会议上，首(shou)席财务官金(jin)宇炫说，凭借由HBM领导的人工智能存储领域(yu)业界最佳技术，SK海力(li)士已经进入了一(yi)个明确的复(fu)苏阶(jie)段。
“我们将通过在正确的时间提供业内表现最佳的产品并维持盈利(li)至上的承诺，继(ji)续努(nu)力(li)改善我们的财务业绩。”