AI狂欢潮下(xia)，韩国芯片巨头SK海力士将迎(ying)来创纪录的一(yi)年。
4月25日，SK海力士公布最新季度财报，由于闪存（NAND）部门销(xiao)量大增，先进 DRAM 芯片卖爆，Q1营收创下(xia)历史新高，营业(ye)利润创第二高。
作为英(ying)伟达等科(ke)技巨头的芯片制造供应商，SK海力士在过去(qu)12个月股价近乎翻倍，今(jin)年迄今(jin)累计涨幅超20%，是仅次于三星电(dian)子的全球第二大芯片制造商。
不过虽然业(ye)绩表现强劲，公司(si)股价今(jin)日不涨反跌。截至(zhi)发稿，SK海力士在韩股市场下(xia)跌超4%报171300韩元。
Q1业(ye)绩大爆炸
财报显示，SK海力士第一(yi)季度收入为12.43万亿韩元（约合90亿美元），同比增长144%，创历史新高。
营业(ye)利润为2.886万亿韩元（约合20.98亿美元），营业(ye)利润率为23%，同比扭亏为盈，并创下(xia)历年同期第二高纪录。
净利润为1.92万亿韩元（合13.9亿美元），净利润率为15%，此前已连续(xu)五个季度出现净亏损。
这份强劲的业(ye)绩，SK海力士将其(qi)归功于“AI服务器产品的销(xiao)售增长，以及推动盈利的努力”。
其(qi)凭借高带宽内存（HBM）等人工智能（AI）芯片技术优势，致力于提(ti)升AI服务器芯片销(xiao)量，并维持以盈利为主的管理模式，由此取得(de)营业(ye)利润环比骤增734%的佳绩。
闪存方(fang)面，随着属于高端产品的企业(ye)级固态硬盘（eSSD）销(xiao)量比重、平均售价的提(ti)高，NAND业(ye)务成功实现扭亏为盈。
SK海力士认为，在经(jing)历了长期的低迷(mi)之后，公司(si)已经(jing)进入了明显反弹的阶段。
公司(si)还预测，随着AI内存需求的持续(xu)增长，未来几个月整体内存市场将稳步增长，而传统DRAM市场也将从下(xia)半年开始复苏。
首席运营官 Kim Woo Hyun 在财报电(dian)话(hua)会议(yi)上表示，对企业(ye)级固态硬盘的需求帮助 SK 海力士的 NAND 业(ye)务在第一(yi)季度恢复盈利。
他表示，2024 年的投资将略高于年初的计划，其(qi)中(zhong)大部分支出将集中(zhong)在高利润产品和基础设施(shi)上，以实现中(zhong)期增长。
“撸起袖子加油干”！
随着人工智能芯片需求激增之下(xia)，SK 海力士成为AI采用(yong)爆炸式增长的最大受益者。
在芯片市场上，英(ying)伟达占据了AI芯片80%的市场份额，而作为英(ying)伟达的HBM3唯一(yi)供应商，SK 海力士无(wu)疑已经(jing)准(zhun)备(bei)好要“起飞”。
为了满足AI内存需求，SK海力士接下(xia)来准(zhun)备(bei)“撸起袖子加油干”。
DRAM领域，公司(si)计划增加HBM3E的供应量，HBM3E已于3月开始量产，这是业(ye)内首次，同时扩大客户群。
该公司(si)还将在年内推出基于1bnm工艺的32Gb DDR5产品，这是第五代10nm技术，以加强其(qi)在大容(rong)量服务器DRAM市场的领导地位。
对于NAND业(ye)务，SK海力士将寻求产品优化，以维持盈利复苏的趋势。
SK海力士将积极增加其(qi)美国子公司(si)Solidigm的高性能16通道eSSD和基于QLC1的高容(rong)量eSSD的销(xiao)售。以及尽早推出第五代面向AI PC的PCIe cSSD，以优化产品阵容(rong)来响(xiang)应市场需求。
本周早些时候，SK 海力士表示拟在韩国投资约150亿美元，以满足HBM芯片产能。
日前，SK海力士宣布将投资5.3 万亿韩元（38.6亿美元）在韩国生产DRAM芯片。
公司(si)计划于 4 月底开始建设名为 M15X 的芯片工厂，并计划在 2025 年 11 月之前实现量产，以满足对AI芯片的激增需求。
新生产基地旨在增加DRAM产能，重点是HBM。SK海力士表示，从长远(yuan)来看，总投资将超过20万亿韩元（约合146亿美元）。
对此，Counterpoint Research 总监 Tom Kang 表示，SK海力士今(jin)年的高端内存产能已被预订满，需要新工厂来满足需求。
他表示，SK 海力士预计今(jin)年营收将达到(dao)近 61 万亿韩元，利润率将超过 20%。
“这对于 SK 海力士来说是一(yi)个明显的转变，也是破纪录的一(yi)年的开始。”
另外，SK海力士还在推进韩国龙仁半导体集群投资计划，最终将向该集群注入约120万亿韩元。计划明年在龙仁市开始建设第一(yi)座晶圆厂，并于 2027 年竣(jun)工。
公司(si)还计划在美国印第安纳州投资39亿美元建立(li)一(yi)个高端封装工厂和AI产品研究中(zhong)心。
与此同时，SK海力士还准(zhun)备(bei)和台积电(dian)合作，打造高带宽存储器4芯片和下(xia)一(yi)代封装技术。HBM4芯片预计将于2026年开始量产。
在财报电(dian)话(hua)会议(yi)上，首席财务官金宇炫说，凭借由HBM领导的人工智能存储领域业(ye)界(jie)最佳技术，SK海力士已经(jing)进入了一(yi)个明确(que)的复苏阶段。
“我们将通过在正确(que)的时间提(ti)供业(ye)内表现最佳的产品并维持盈利至(zhi)上的承诺，继续(xu)努力改(gai)善我们的财务业(ye)绩。”