作为半导体制造三(san)大核心工艺之一的刻蚀设备，其价值量占比达到了(le)22%，是重要性(xing)仅次于光刻机的半导体设备，正迎(ying)市场增长和(he)国产化双机遇共振。
什么是刻蚀设备？
集成电路制造经历(li)上百道工艺，光刻、刻蚀、薄膜沉积是三(san)大关键设备，价值占比达60%以上。国际最先进芯(xin)片产线需要百亿美元投资，70%以上用于购买设备，单条线需要十大类设备，170多(duo)种细分设备，合(he)计约3000多(duo)台各种类型(xing)的设备，其中光刻、刻蚀、薄膜沉积价值量最大，占比分别为17%、22%、22%。刻蚀设备是重要性(xing)仅次于光刻机的半导体设备。
刻蚀设备结构解析 资料来源：四(si)十八所
半导体制作过程中，薄膜沉积工艺是在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶(jiao)工艺把光刻胶(jiao)涂(tu)抹在薄膜上，光刻和(he)显(xian)影工艺把光罩(zhao)上的图形转(zhuan)移到光刻胶(jiao)，而刻蚀工艺是把光刻胶(jiao)上图形转(zhuan)移到薄膜，去除光刻胶(jiao)后，即完成图形从光罩(zhao)到晶圆的转(zhuan)移。刻蚀利用化学或者(zhe)物理的方法将晶圆表面(mian)附着的不必(bi)要的材质进行去除的过程，根据被刻蚀材料的不同，刻蚀可分为介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀。根据产生等(deng)离子(zi)体方法的不同，分为电容(rong)性(xing)等(deng)离子(zi)体刻蚀（CCP）和(he)电感性(xing)等(deng)离子(zi)体刻蚀（ICP）。
资料来源：中微公司(si)招股(gu)说明(ming)书
其中CCP刻蚀主要是介质刻蚀，即高能离子(zi)在较硬(ying)的介质材料上刻蚀高深(shen)宽比的深(shen)孔(kong)、深(shen)沟等(deng)微观(guan)结构；而ICP刻蚀主要是硅刻蚀和(he)金属刻蚀，即以较低的离子(zi)能量和(he)极均匀的离子(zi)浓度刻蚀较软的和(he)较薄的材料。
ICP、CCP在整个刻蚀设备市场占比接近(jin)，据Gartner数据显(xian)示，2022年ICP、CCP占刻蚀设备市场分别为47.9%、47.5%，二者(zhe)合(he)计占比约95%，几乎占据了(le)整个刻蚀设备市场全部份额。
来源：Gartner,中微公司(si)
当下有什么值得关注的点？
首先是逻辑芯(xin)片不断突破，先进工艺刻蚀次数也(ye)不断提升,对刻蚀设备的数量和(he)质量提出(chu)了(le)更高的要求。
更小的制程是集成电路研发(fa)生产的不懈追求，工艺越先进，晶体管栅极宽度纳米数越小，芯(xin)片的性(xing)能也(ye)将随之提升。当前国际上高端量产芯(xin)片从7nm向(xiang)5nm、3nm甚至更小的尺寸发(fa)展，其核心工艺必(bi)须借助刻蚀机的多(duo)次刻蚀来实现。据国际半导体产业协会测算，一片7nm集成电路所经历(li)刻蚀工艺140次，较28nm生产所需的40次增加2.5倍。此外，更多(duo)的步骤、更小的尺寸以及不同的材料对刻蚀机的数量、精度、重复性(xing)等(deng)都提出(chu)更高的要求。
不同制程集成电路所需刻蚀工艺数量（次）资料来源：国际半导体产业协会，华经产业研究院
对于中国大陆(lu)逻辑电路制造而言，先进制程的主流工艺是FinFET工艺，受制于部分设备能力，国内先进制程的发(fa)展目前还需要依赖多(duo)重曝光实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的需求数量和(he)重要性(xing)进一步提升。除此之外基于金属硬(ying)掩模(mo)的双大马士革等(deng)工艺也(ye)提高了(le)刻蚀的难度，相应的刻蚀机制造的难度也(ye)随之增加。
同时，3DNAND存储芯(xin)片堆叠层数不断增长，涉及的刻蚀步骤繁多(duo)，对设备的性(xing)能及数量都提出(chu)需求。
基于NAND闪存芯(xin)片的产品能够快速(su)处理数据，是当今存储卡、USB、固态硬(ying)盘等(deng)数字(zi)数据存储方式背后的核心元件。当下主流的3DNAND存储是在垂直层面(mian)上增加存储单元，从而倍数扩(kuo)张晶圆上的单元数量，增大存储容(rong)量。
3DNAND的构建极大程度上依赖沉积和(he)刻蚀工艺，无论是已经投入量产的64层和(he)128层，还是正在研发(fa)中的超(chao)300层3DNAND，都是增加了(le)堆叠的层数，这对刻蚀设备的深(shen)宽比提出(chu)了(le)要求。
此外在现有技术下，堆叠层数越高，重复工艺次数越多(duo)，沟道孔(kong)洞等(deng)非重复性(xing)节点单次操作耗时更长，导致部分加工节点对刻蚀设备的需求可随堆叠层数的增加而同比例增长。3DNAND的技术发(fa)展将为刻蚀设备的需求带来新的增长动力。
在新的自(zi)主可控背景下，国产设备在内资晶圆厂的渗透(tou)率正在快速(su)提升，目前替代空间巨大。
刻蚀设备市场格局高度集中，海外三(san)大厂商寡头垄断，占据总市场份额的90%。根据华经情(qing)报研究院，2022年刻蚀龙头LamResearch（LRCX、泛林半导体）市场份额占比46.7%。就我国本土市场而言，据智研咨询统计，现阶段中国刻蚀设备国产化率约在20%左右。海外厂商普遍成立时间较早，在技术经验、客户(hu)资源、生态体系等(deng)方面(mian)均有较深(shen)积累，国产厂商均在2000年后成立，且主要客户(hu)均为国内晶圆厂，经验资源仍然欠缺。
不过根据中国海关进口数据显(xian)示，2017年以来，刻蚀机进口数量在2021年达到巅峰(feng)，2022年受到行业周期以及相关出(chu)口禁令的影响出(chu)现下滑，同时也(ye)反映了(le)国产刻蚀设备逐渐满足我国晶圆厂的生产需求，在出(chu)厂数量和(he)技术水平上均有所提升。2023年下半年进口数量未见明(ming)显(xian)增加但单机价格呈现翻倍的增长，机构判断进口设备多(duo)集中在一些高技术壁垒(lei)高价值量的工艺环节。
并且，已经有不少国产企业在技术、订(ding)单方面(mian)有较为明(ming)显(xian)的突破。
例如，3DNAND工艺中最困(kun)难环节的高深(shen)宽比刻蚀领域，中微公司(si)就自(zi)主开发(fa)了(le)极高深(shen)比刻蚀机，该设备用400KHz取(qu)代2MHz作为偏压射频源，以获得更高的离子(zi)入射能量和(he)准(zhun)直性(xing)，使得深(shen)孔(kong)及深(shen)槽刻蚀关键尺寸的大小符合(he)规格。在3DNAND芯(xin)片制造环节，公司(si)的等(deng)离子(zi)体刻蚀设备可应用于64层和(he)128层的量产，同时公司(si)根据存储器厂商的需求正在开发(fa)新一代设备，以满足极高深(shen)宽比的刻蚀设备和(he)工艺。
而应用于CVD薄膜沉积、刻蚀等(deng)核心环节的半导体工艺控制核心射频电源领域，国内厂商英杰电气、恒运昌、北(bei)广科(ke)技与下游设备厂（中微股(gu)份、拓荆科(ke)技、北(bei)方华创等(deng)）共同成长，在射频电源产品供应方面(mian)已实现批量订(ding)单突破。
其中英杰电气应用于半导体设备的射频电源已实现批量订(ding)单（截至2023年11月29日(ri)，已突破9000万元订(ding)单），正呈现逐渐增量的趋势。恒运昌2019年底公司(si)与沈阳拓荆科(ke)技有限公司(si)正式签署了(le)战略合(he)作备忘录。2022年6月17日(ri)，拓荆科(ke)技以自(zi)有资金人(ren)民币2000万元向(xiang)恒运昌增资并参(can)股(gu)恒运昌，增资后持有其3.51%的股(gu)份。在PECVD射频电源领域持续(xu)突破。北(bei)方微电子(zi)2020年公司(si)以6397万人(ren)民币收购北(bei)广科(ke)技射频应用技术相关资产，提高在射频电源细分领域的核心竞(jing)争力。
市场空间有多(duo)大？
半导体行业虽具有一定的周期性(xing)，但整体仍呈现快速(su)增长态势，以AI和(he)5G为代表的技术创新将带来新需求，为半导体行业带来新的增长动力。
2023年12月12日(ri)SEMI发(fa)布了(le)《年终总半导体设备预测报告(gao)》指出(chu)，半导体制造设备全球总销售额预计将在2023年达到1000亿美元，比2022年收缩6%。预计半导体制造设备将在2024年恢复增长，在前端和(he)后端市场的推动下，2025年的销售额预计将达到1240亿美元的新高。
来源：SEMI
根据Gartner统计数据，全球集成电路制造干法刻蚀设备市场规模(mo)在2020-2025年期间发(fa)生一定波动，预计2025年市场规模(mo)约为181.85亿美元，年复合(he)增长率约为5.84%。
全球集成电路干法刻蚀设备市场规模(mo)（亿美元）资料来源：Gartner，屹唐股(gu)份招股(gu)说明(ming)书
中国大陆(lu)晶圆厂仍处于产能扩(kuo)张阶段，12英寸产线扩(kuo)产空间较大，保障刻蚀设备需求。
据全球半导体观(guan)察不完全统计，中国大陆(lu)预计至2024年底将建立32座大型(xing)晶圆厂，包括正在建设中的晶圆厂22座，以及未来中芯(xin)国际、晶合(he)集成、合(he)肥长鑫、士兰微等(deng)厂商计划建设10座，其中在建或计划中12英寸晶圆厂共计24座，占扩(kuo)产比例的75%。
具体产能方面(mian)，中国大陆(lu)目前12英寸晶圆月产能160.7万片，规划月产能423.3万片，现有产能占比37.96%，8英寸月产能99.1万片，规划月产能155万片，现有产能占比63.94%。长期来看，12英寸产线产能扩(kuo)张空间可观(guan)。晶圆代工行业扩(kuo)产计划的不断推进也(ye)为刻蚀设备的需求增长保证了(le)充足空间。
据华经产业研究院统计，刻蚀设备市场规模(mo)在各类半导体设备中增速(su)最高，2011-2021年年复合(he)增长率达16.39%，2022年中国刻蚀设备市场规模(mo)为375.28亿元，预计2023年有望达到500亿元。随着集成电路技术不断发(fa)展，对刻蚀设备的性(xing)能和(he)数量要求不断提高，以及当下核心设备国产化的主流趋势，刻蚀行业前景依旧广阔。
相关企业有哪些？
中微公司(si)是国内领先的半导体刻蚀设备及MOCVD设备制造商，逐步向(xiang)薄膜沉积设备等(deng)半导体设备延展。公司(si)2004年成立以来，开发(fa)了(le)CCP单/双台机、ICP单/双台机，可以覆(fu)盖(gai)大部分刻蚀应用，并且在高壁垒(lei)卡脖子(zi)领域例如极高深(shen)宽比和(he)大马士革工艺方面(mian)持续(xu)突破。
在逻辑集成电路制造环节，公司(si)开发(fa)的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际国内知名客户(hu)65nm到5nm及下一代更先进的芯(xin)片生产线上；同时，公司(si)根据先进集成电路厂商的需求，持续(xu)开发(fa)5nm及更先进刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户(hu)的批量订(ding)单。在3DNAND芯(xin)片制造环节，公司(si)的等(deng)离子(zi)体刻蚀设备可应用于64层和(he)128层的量产，满足更高深(shen)宽比的刻蚀设备正在研发(fa)中。
公司(si)主要客户(hu)包括台积电、英特尔(er)、联华电子(zi)、格罗方德、海力士、意法半导体、华力、华虹(hong)、中芯(xin)国际、博世、长江存储、长鑫存储等(deng)。
北(bei)方华创则是国内ICP刻蚀设备龙头，ICP刻蚀产品出(chu)货累计超(chao)过2000腔。2005年华创第(di)一台ICP硅刻蚀机进入生产线，目前是国内主流客户(hu)的优选机台。12英寸TSV深(shen)硅刻蚀机是国内TSV量产生产线主力机台，支持Chiplet工艺应用。公司(si)实现CCP刻蚀设备突破，2022年公司(si)推出(chu)8英寸CCP刻蚀设备并开始批量供应和(he)12英寸CCP晶边介质刻蚀机已进入多(duo)家生产线验证。
此外还有进行刻蚀设备业务拓展的屹唐股(gu)份，目前正在冲击IPO。公司(si)面(mian)向(xiang)全球经营的半导体设备公司(si)，主要从事(shi)集成电路制造过程中所需晶圆加工设备的研发(fa)、生产和(he)销售，面(mian)向(xiang)全球集成电路制造厂商提供包括干法去胶(jiao)设备、快速(su)热处理设备、干法刻蚀设备在内的集成电路制造设备及配套工艺解决方案。
屹唐股(gu)份现有两款刻蚀设备，主要覆(fu)盖(gai)存储芯(xin)片的制备。2007年推出(chu)ParadigmE系列(lie)，2020年推出(chu)高选择(ze)比刻蚀和(he)原子(zi)层级材料移除设备Novyka系列(lie)，二者(zhe)目前均已研发(fa)至先进10nmDRAM芯(xin)片和(he)256层3D闪存芯(xin)片制造，公司(si)在干法刻蚀领域仍处于追赶(gan)国际先进水平阶段。目前，公司(si)刻蚀设备的主要客户(hu)为三(san)星电子(zi)和(he)长江存储。