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中新社成都6月7日电(dian) (记者 贺劭(shao)清(qing))记者7日从电(dian)子科技大学获悉(xi)，中国科研人员依据新颖的二维滑移铁电(dian)机制，提(ti)出一种性能(neng)优(you)异的抗疲劳铁电(dian)体系，为解决类脑智能(neng)芯片的理想材料——铁电(dian)材料领域长期存在的疲劳问题提(ti)供了一种全新途径，有望推动铁电(dian)存储及类脑智能(neng)器件方面应用。
该科研成果7日在国际(ji)学术期刊《科学》(Science)发表。电(dian)子科技大学为第一完(wan)成单位，电(dian)子科技大学光电(dian)科学与工程学院教授(shou)刘富才为共同通讯作者。
据了解，近(jin)年来大数据、人工智能(neng)等新兴技术的飞(fei)速发展(zhan)，使得(de)人们对(dui)算力的需求激增。传统芯片存储单元与计算单元的分离，从根本(ben)上限制了芯片计算速度和能(neng)效(xiao)的进一步提(ti)升。构(gou)筑存算一体架构(gou)的类脑智能(neng)芯片被认(ren)为是应对(dui)当前问题的有效(xiao)解决途径。
铁电(dian)材料被认(ren)为是实现类脑智能(neng)器件和存算一体架构(gou)的理想材料体系。然而铁电(dian)材料在经历反复极化切换后，极化只能(neng)实现部分翻转，导(dao)致铁电(dian)材料失效(xiao)，即(ji)铁电(dian)疲劳。虽(sui)然这一问题早在1953年就已被研究者发现，但至今未得(de)到(dao)有效(xiao)解决。
针对(dui)这一问题，刘富才教授(shou)研究团队发现新型的滑移铁电(dian)体具有天然的耐疲劳特性。这是因为滑移铁电(dian)机制与传统铁电(dian)材料的离子位移机制有明显的不同，在电(dian)场的作用下，范德华层状(zhuang)材料的层与层之间会产生整体滑移，同时(shi)层间发生电(dian)荷转移，进而实现面外极化翻转。
器件表征结果显示(shi)，滑移铁电(dian)器件在经历高达百万次的疲劳测(ce)试(shi)后，器件的转移特性曲线、动态及静态电(dian)学输运曲线几乎不发生变化。这一结果充分证明滑移铁电(dian)器件优(you)异的抗疲劳特征。
该项研究成果为解决铁电(dian)材料疲劳问题提(ti)供了理想解决方案，也为铁电(dian)材料在非易失性存储器、存算一体器件及类脑计算芯片等新颖器件中的应用提(ti)供了具有竞争潜力的选择。(完(wan))