据韩(han)国每(mei)日经(jing)济(ji)报道，全球两大内存(cun)芯片制造(zao)商三星电子公司和SK海力士公司预测(ce)，由于人工智能应用(yong)对高性能芯片的需求不断增长，2024年DRAM和高带宽内存(cun)（HBM）价(jia)格将保持坚挺。

为满足市场需求，他们已(yi)将超过20%的DRAM生产线转为HBM生产线。这一举措将导致DRAM产量减少，而HBM芯片的产能增加。

5 月9 日至10 日，在由三星证券主办的投(tou)资者关系会议上， SK海力士首席(xi)执(zhi)行官郭能静（Kwak Noh-jung）透露，今年和2025年HBM芯片订单几乎售(shou)罄，显示(shi)出高HBM芯片需求。一位SK海力士官员表(biao)示(shi)，公司已(yi)与客(ke)户签订具约束力的HBM芯片供应合同，确保供应量和利润率稳定。

据悉，八层HBM3E芯片占据主要客(ke)户Nvidia订单的大部分。尽管HBM3价(jia)格下跌，但HBM3E价(jia)格上涨将抵消这一影响，有望维持利润率水平。三星电子官员表(biao)示(shi)，其HBM产出已(yi)售(shou)罄，而2025年HBM不会出现供过于求的情况。

此外，三星计划在第二季度(du)开始生产12层HBM3E芯片，展示(shi)其在HBM3E市场的领先地位。未来，三星将开发第六代HBM（HBM4）并于2026年量产，采用(yong)混合键(jian)合技术(shu)连接DRAM的顶(ding)部和底部。

三星内部人士表(biao)示(shi)，DRAM价(jia)格短期不会下跌，而SSD的需求增长也是长期趋势。