作(zuo)者：周源/华尔街见闻
三星电子终于(yu)松了一口气。
7月18日，华尔街见闻从供应链独家获悉，三星电子HBM3E已通过英伟(wei)达测试。
这是(shi)三星电子自(zi)今年年初至今，先后四次或成立、或改(gai)组既有半导体业务团队为(wei)专门的(de)HBM小组，集中力量攻坚HBM技(ji)术，誓要拿(na)下“英伟(wei)达AI加速卡”HBM供应商(shang)资格的(de)重大成果。
7月16日，中国台湾供应链有消息称，三星电子之前(qian)要求其(qi)合作(zuo)伙伴拨(bo)出与HBM3E供应有关的(de)产能(neng)准(zhun)备。集邦咨询也有消息称，三星电子供应链已转动起来，有望今年第(di)3季度开始向英伟(wei)达出货。
7月31日，三星将举行财务报告会议。业界预期，三星极有可能(neng)在那时会公告通过英伟(wei)达HBM认证(zheng)的(de)消息。
三星电子为(wei)了通过英伟(wei)达测试，也想重新夺回HBM技(ji)术和市场份额优势，在2024年1-7月，先后四次调整半导体业务线，为(wei)这项目标开辟(pi)道路。
最近一次是(shi)在今年7月4日，三星电子负责半导体业务的(de)设备解决方案（DS）部门做(zuo)了改(gai)组，新设HBM研发组。
三星电子副社(she)长、高性能(neng)DRAM设计专家孙永(yong)洙（Son Young-Soo）担任该研发组组长，带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技(ji)术。同时，三星电子还重组了先进封装(zhuang)（AVP）团队和设备技(ji)术实验所，以提升整体技(ji)术竞争力。
这是(shi)继5月全永(yong)铉（Young Hyun Jun）代替庆桂显（Kyung Kye-hyun）担任DS部门负责人后的(de)又一次大规模组织结构(gou)调整。
三星电子DS部门，即设备解决方案部门，主要负责存储、系(xi)统、晶圆代工的(de)半导体相关业务。
其(qi)中，存储业务涵盖DRAM内存和NAND闪存的(de)开发、制造和战(zhan)略营销；系(xi)统LSI业务包括(kuo)系(xi)统级(ji)芯片(pian)设计、制造和销售；晶圆代工业务为(wei)其(qi)他(ta)公司制造半导体芯片(pian)。这个部门在三星电子的(de)半导体业务中扮演着关键角色，致力于(yu)推动技(ji)术创新和业务发展。
全永(yong)铉（Jun Young-hyun）最早(zao)于(yu)2000年加入三星电子的(de)内存芯片(pian)业务团队。2014至2017年期间，全永(yong)铉担任DRAM和内存芯片(pian)开发业务负责人。之后，全永(yong)铉转任三星电池制造商(shang)三星SDI的(de)首席执行官，负责电池业务。
孙永(yong)洙负责的(de)HBM小组称为(wei)“HBM开发团队”，取代之前(qian)包括(kuo)“HBM产能(neng)质量提升团队”在内的(de)两(liang)个专门的(de)HBM技(ji)术团队，集中技(ji)术力量和内部资源攻坚HBM3E和HBM4的(de)技(ji)术开发工作(zuo)，以此在HBM业务范围内追(zhui)赶领先者SK海力士。
看起来孙永(yong)洙的(de)工作(zuo)卓有成效，在他(ta)领导的(de)“HBM开发团队”成立仅两(liang)周（14天），或者更早(zao)，三星电子HBM3E就通过了英伟(wei)达技(ji)术测试。
值得一提的(de)是(shi)，三星电子在HBM4（第(di)六代）产品中用自(zi)家的(de)4nm制程工艺制造逻辑芯片(pian)。目前(qian)，三星电子4nm工艺制程的(de)良品率(lu)已超70%。
HBM的(de)逻辑芯片(pian)，即Logic Die，SK海力士口径是(shi)基础裸片(pian)Base Die，美光(guang)科技(ji)则用接口芯片(pian)Interface Die概称。
上(shang)图图示为(wei)美光(guang)科技(ji)HBM3E微观物(wu)理结构(gou)图。
其(qi)中，DRAM Die为(wei)HBM内存提供内存容(rong)量；Interface Die（即 Logic Die）是(shi)DRAM堆(dui)栈的(de)控制单元(yuan)，也负责通过互连(lian)层与处理器的(de)内存接口通信(xin)。因此， Logic Die是(shi)HBM内存的(de)重要组成部分。
由(you)于(yu)HBM4的(de)逻辑芯片(pian)需要支持(chi)更多的(de)信(xin)号引脚、更大的(de)数据带宽和承载部分客户定制功能(neng)，因此存储厂商(shang)开始选择与逻辑晶圆厂合作(zuo)，用逻辑半导体工艺生产HBM4的(de)逻辑芯片(pian)。
SK海力士的(de)HBM4逻辑芯片(pian)，此前(qian)有消息传出，其(qi)将采用台积电7nm工艺制程。最近，业界有消息称，SK海力士的(de)HBM4，将用台积电5nm工艺制程替换此前(qian)的(de)7nm工艺。
据美光(guang)科技(ji)财报显示，HBM3E在同一技(ji)术节点中生产给(gei)定数量，所消耗(hao)的(de)晶圆供应量大约是(shi)DDR5的(de)三倍。因此，三星电子将从DDR5产能(neng)中调拨(bo)约30%的(de)比重，专项生产HBM。但此则消息未获三星电子官方确认。
尽(jin)管(guan)如此，业界仍相信(xin)这则消息的(de)可靠性。
鉴于(yu)三星电子是(shi)全球DRAM龙头，市占率(lu)高达45%，若(ruo)其(qi)调拨(bo)30%的(de)DRAM产能(neng)给(gei)予HBM，则会削减约13%的(de)DRAM全球供应量，故而DRAM供应缺口甚至比HBM更大，价格也会继续上(shang)扬。