据韩国每日经济(ji)报道，全球两大内存芯片制(zhi)造商三星电(dian)子公司和SK海力士公司预(yu)测，由于人工智能应用对高性能芯片的(de)需求不断增长，2024年DRAM和高带宽内存（HBM）价格将保持坚挺。

为满足市场需求，他们已将超过20%的(de)DRAM生产线转为HBM生产线。这一(yi)举(ju)措将导致DRAM产量减少，而HBM芯片的(de)产能增加。

5 月9 日至10 日，在由三星证券主办的(de)投资者关系会议上， SK海力士首(shou)席执行官郭能静（Kwak Noh-jung）透露，今年和2025年HBM芯片订(ding)单几乎售罄，显示出高HBM芯片需求。一(yi)位SK海力士官员表示，公司已与客户(hu)签订(ding)具约束力的(de)HBM芯片供应合同，确保供应量和利润率稳定。

据悉，八层HBM3E芯片占(zhan)据主要客户(hu)Nvidia订(ding)单的(de)大部分。尽管(guan)HBM3价格下跌，但HBM3E价格上涨将抵消这一(yi)影响，有望维持利润率水平。三星电(dian)子官员表示，其HBM产出已售罄，而2025年HBM不会出现供过于求的(de)情况。

此外，三星计划(hua)在第二(er)季度开始生产12层HBM3E芯片，展示其在HBM3E市场的(de)领先地位。未来，三星将开发第六代HBM（HBM4）并于2026年量产，采用混合键合技术连(lian)接DRAM的(de)顶(ding)部和底部。

三星内部人士表示，DRAM价格短期不会下跌，而SSD的(de)需求增长也(ye)是长期趋势(shi)。