AI狂(kuang)欢潮下，韩国芯片巨头SK海力士将迎来创纪录(lu)的一年(nian)。
4月25日，SK海力士公(gong)布最新季(ji)度财报，由于闪存（NAND）部门(men)销量(liang)大增，先进 DRAM 芯片卖爆，Q1营收创下历史新高，营业利润创第二高。
作为(wei)英伟达等(deng)科技巨头的芯片制造供应商(shang)，SK海力士在过去12个月股价(jia)近乎翻倍，今年(nian)迄今累计涨幅超20%，是(shi)仅次于三星电子的全(quan)球第二大芯片制造商(shang)。
不过虽(sui)然业绩表现强劲，公(gong)司股价(jia)今日不涨反跌。截至发(fa)稿，SK海力士在韩股市场下跌超4%报171300韩元(yuan)。
Q1业绩大爆炸(zha)
财报显示，SK海力士第一季(ji)度收入为(wei)12.43万亿(yi)韩元(yuan)（约合90亿(yi)美元(yuan)），同比增长144%，创历史新高。
营业利润为(wei)2.886万亿(yi)韩元(yuan)（约合20.98亿(yi)美元(yuan)），营业利润率(lu)为(wei)23%，同比扭(niu)亏为(wei)盈，并创下历年(nian)同期第二高纪录(lu)。
净利润为(wei)1.92万亿(yi)韩元(yuan)（合13.9亿(yi)美元(yuan)），净利润率(lu)为(wei)15%，此前已连续五个季(ji)度出现净亏损。
这份强劲的业绩，SK海力士将其归功于“AI服务器产品的销售(shou)增长，以及推(tui)动盈利的努力”。
其凭借高带(dai)宽内存（HBM）等(deng)人(ren)工智能（AI）芯片技术优势，致力于提升AI服务器芯片销量(liang)，并维持以盈利为(wei)主的管理模(mo)式，由此取得营业利润环比骤增734%的佳绩。
闪存方面，随着属(shu)于高端产品的企业级固态硬(ying)盘（eSSD）销量(liang)比重、平均售(shou)价(jia)的提高，NAND业务成功实现扭(niu)亏为(wei)盈。
SK海力士认为(wei)，在经历了长期的低迷之后，公(gong)司已经进入了明显反弹的阶段。
公(gong)司还预测，随着AI内存需求的持续增长，未(wei)来几个月整体内存市场将稳步(bu)增长，而传(chuan)统DRAM市场也将从下半年(nian)开始复苏。
首席运营官(guan) Kim Woo Hyun 在财报电话会议上表示，对企业级固态硬(ying)盘的需求帮助 SK 海力士的 NAND 业务在第一季(ji)度恢(hui)复盈利。
他表示，2024 年(nian)的投资将略高于年(nian)初的计划，其中大部分支出将集中在高利润产品和基础设施上，以实现中期增长。
“撸起袖子加油干”！
随着人(ren)工智能芯片需求激(ji)增之下，SK 海力士成为(wei)AI采用(yong)爆炸(zha)式增长的最大受(shou)益者。
在芯片市场上，英伟达占据了AI芯片80%的市场份额，而作为(wei)英伟达的HBM3唯一供应商(shang)，SK 海力士无疑已经准备好要“起飞”。
为(wei)了满足AI内存需求，SK海力士接下来准备“撸起袖子加油干”。
DRAM领域，公(gong)司计划增加HBM3E的供应量(liang)，HBM3E已于3月开始量(liang)产，这是(shi)业内首次，同时扩大客户群。
该公(gong)司还将在年(nian)内推(tui)出基于1bnm工艺的32Gb DDR5产品，这是(shi)第五代10nm技术，以加强其在大容量(liang)服务器DRAM市场的领导地(di)位。
对于NAND业务，SK海力士将寻求产品优化，以维持盈利复苏的趋势。
SK海力士将积极增加其美国子公(gong)司Solidigm的高性能16通道(dao)eSSD和基于QLC1的高容量(liang)eSSD的销售(shou)。以及尽早推(tui)出第五代面向AI PC的PCIe cSSD，以优化产品阵容来响应市场需求。
本周早些时候，SK 海力士表示拟在韩国投资约150亿(yi)美元(yuan)，以满足HBM芯片产能。
日前，SK海力士宣布将投资5.3 万亿(yi)韩元(yuan)（38.6亿(yi)美元(yuan)）在韩国生(sheng)产DRAM芯片。
公(gong)司计划于 4 月底开始建(jian)设名(ming)为(wei) M15X 的芯片工厂，并计划在 2025 年(nian) 11 月之前实现量(liang)产，以满足对AI芯片的激(ji)增需求。
新生(sheng)产基地(di)旨在增加DRAM产能，重点是(shi)HBM。SK海力士表示，从长远来看，总投资将超过20万亿(yi)韩元(yuan)（约合146亿(yi)美元(yuan)）。
对此，Counterpoint Research 总监 Tom Kang 表示，SK海力士今年(nian)的高端内存产能已被(bei)预订满，需要新工厂来满足需求。
他表示，SK 海力士预计今年(nian)营收将达到(dao)近 61 万亿(yi)韩元(yuan)，利润率(lu)将超过 20%。
“这对于 SK 海力士来说是(shi)一个明显的转变，也是(shi)破纪录(lu)的一年(nian)的开始。”
另外，SK海力士还在推(tui)进韩国龙仁半导体集群投资计划，最终将向该集群注入约120万亿(yi)韩元(yuan)。计划明年(nian)在龙仁市开始建(jian)设第一座晶圆厂，并于 2027 年(nian)竣(jun)工。
公(gong)司还计划在美国印(yin)第安(an)纳州投资39亿(yi)美元(yuan)建(jian)立一个高端封装工厂和AI产品研究(jiu)中心。
与此同时，SK海力士还准备和台积电合作，打造高带(dai)宽存储器4芯片和下一代封装技术。HBM4芯片预计将于2026年(nian)开始量(liang)产。
在财报电话会议上，首席财务官(guan)金(jin)宇炫说，凭借由HBM领导的人(ren)工智能存储领域业界最佳技术，SK海力士已经进入了一个明确的复苏阶段。
“我们将通过在正确的时间提供业内表现最佳的产品并维持盈利至上的承(cheng)诺，继续努力改善我们的财务业绩。”