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HBM的意外赢家,设备,韩美,市场
2024-07-24 08:51:00
HBM的意外赢家,设备,韩美,市场

伴随AI的兴(xing)起,HBM成为巨头们抢占的高地。三星、SK海力士、美光等存储巨头纷纷将HBM视为重点生产(chan)产(chan)品(pin)之一。

HBM的火热,给市场掀起巨大波澜。

根据TrendForce数据预测(ce),2024年HBM需求位(wei)年增长率近200%,2025年有(you)望再翻倍。SK海力士与美光曾公开表示,两家(jia)2024年的HBM已(yi)经(jing)售罄,就连2025年的HBM产(chan)量也几(ji)乎(hu)被预订(ding)一空。

供不应求的供需关系背后,HBM供应商们各个赚的盆满钵满。甚至在前(qian)几(ji)年存储市场数个季度持续低(di)迷的态势下,HBM业务仍表现亮(liang)眼,成为拉动存储厂商需求提升的关键。

当前(qian),HBM市场格局三分天下。有(you)数据统计,SK海力士占据超过50%的市场份(fen)额,三星约占40%,美光市占率或(huo)不足10%。若以现阶段主流产(chan)品(pin)HBM3产(chan)品(pin)来看,SK海力士于HBM3市场比重超过9成,三星与美光紧追在后。

然而,除了三巨头之外,HBM对(dui)设备市场带来增量需求。对(dui)前(qian)道设备而言,HBM需要(yao)通过TSV进行垂直方向连接,会带动刻蚀设备、PECVD、PVD、ECD和减薄(bao)抛光等前(qian)道设备增量需求,但(dan)相(xiang)对(dui)有(you)限。

后道环节,由于HBM堆叠结(jie)构增多,要(yao)求晶圆厚度不断(duan)降低(di),对(dui)减薄(bao)、键合等设备需求提升较大,后道封测(ce)设备则存在量价齐升的逻辑。

其(qi)中,TC Bonder(热压键合机),就是HBM制(zhi)造过程的必备设备。

TC键合机对(dui)于HBM生产(chan)至关重要(yao),它使用热压将芯片键合和堆叠在加工后的晶圆上(shang),对(dui)HBM的良率有(you)重大影响。因此,TC键合机被认为是HBM制(zhi)造过程中不可或(huo)缺的设备之一,也是HBM浪潮中受益较大的环节之一。

据QY Research数据,可用于先(xian)进封装的高精度TC bonder设备2022年全球市场规模达0.8亿美元(yuan),预计2029年将达到4亿美元(yuan),2023-2029年CAGR高达25.6%。

HBM浪潮下,TC键合机崛起

能看到,随着(zhe)HBM和3D封装的商业化,TC键合机市场正(zheng)在快速(su)增长。

为了应对(dui)市场增长,韩(han)美半导体和三星旗(qi)下SEMES等韩(han)国设备公司已(yi)成功实现HBM的TC键合机国产(chan)化,但(dan)对(dui)海外设备公司的TC键合机的依赖度仍然很高,例如(ru)日本的新川、东丽,新加坡的Kulicke & Soffa和ASMPT和荷(he)兰的BESI等公司也是TC键合机市场的强势参与者。

据了解,HBM厂商基本已(yi)各自建立了TC键合机供应链。三星电子从日本东丽、新川和旗(qi)下SEMES获得供货;SK海力士正(zheng)在从新加坡ASMPT、韩(han)美半导体和和韩(han)华精密机械接收(shou)用于HBM的TC键合设备。两家(jia)公司自去年以来一直在加速(su)本地化工作,以减少(shao)对(dui)外国设备的依赖。

美光则游走在日韩(han)设备厂商中,急(ji)于追赶HBM产(chan)能。

在存储三巨头共(gong)同发力下,用于HBM的TC键合设备迎来了新的增长机遇。

韩(han)美半导体,引领TCB市场

韩(han)美半导体(Hanmi Semiconductor)成立于1980年,初期生产(chan)芯片载体模具与封装注塑等塑封设备。2017年开始与SK海力士共(gong)同研发用于HBM封装及2.5D封装的Dual TC Bonder。

2017年与SK海力士共(gong)同开发了TC键合机,为SK海力士的MR-MUF工艺(yi)提供设备,该工艺(yi)使用类似粘(zhan)合剂的材(cai)料来键合DRAM芯片。

2023年发布新一代Dual TC Bonder超级型号GRIFFIN和高级型号DRAGON,两者皆采用TSV方法制(zhi)造的半导体芯片堆叠在晶圆上(shang)的双机台(tai)键合设备,可用于当前(qian)HBM用TC的两种主要(yao)解决方案(an)TC+NCF与TC+MUF。同时推出的TC Bonder CW2.0适用于台(tai)积电CoWoS工艺(yi),正(zheng)在客户处积极研制(zhi)。

自2022年以来,韩(han)美半导体的TCB设备一直引领市场。

资本市场就是一个很好(hao)的信号,2022年底以来,韩(han)国“妖(yao)股”韩(han)美半导体飙升近1200%,疯狂的涨势吸(xi)引了众多投(tou)资者涌入。今年以来,韩(han)美半导体股价再翻番,成为MSCI亚太指数中表现最好(hao)的股票。

据了解,韩(han)美半导体在全球拥有(you)五家(jia)工厂,可实现客户深度覆盖,并且公司具备170台(tai)数控自动化设备,通过构建设计、组件处理、输入软件、组装、测(ce)试垂直一体化生产(chan)方式,可加速(su)交(jiao)付,缩短(duan)交(jiao)付时间,提高效率。

在供应方面,韩(han)美半导体深度绑(bang)定SK海力士,SK海力士HBM扩(kuo)产(chan)带动其(qi)TC键合设备需求。

据悉,SK海力士计划在清州工厂建造一条新的HBM 生产(chan)线,将于明年开始全面运营,其(qi)HBM产(chan)能预计扩(kuo)大至少(shao)两倍,巩固HBM市场的领导地位(wei)。其(qi)中,韩(han)美半导体被列为产(chan)线设备主要(yao)供应商之一,收(shou)到SK海力士大量订(ding)单;今年来,SK海力士清州工厂还计划在现有(you)晶圆厂附近建设一座新晶圆厂(M15X),预计2025年竣工,方便未来扩(kuo)大产(chan)能,在清州可实现建设第6代HBM(HBM4)生产(chan)线,目标2026年实现量产(chan)。因此,韩(han)美半导体设备的持续迭代,未来可深度受益海力士HBM4产(chan)线。

为了应对(dui)HBM市场需求,韩(han)美半导体TC Bonder计划再扩(kuo)产(chan),加强供应能力。据悉,韩(han)美半导体新工厂位(wei)于仁川市,利(li)用已(yi)拥有(you)的五家(jia)工厂中的第三家(jia)。该工厂总面积2万多平方米,原用于公司设备的组装和测(ce)试,现已(yi)转型为专门(men)生产(chan)双TC键合机和其(qi)他(ta)TC键合机的工厂,该工厂拥有(you)大型洁净室,可同时组装和测(ce)试约50台(tai)半导体设备,为Dual TC Bonder的生产(chan)提供了优化的环境。

伴随新工厂的开业,有(you)望满足市场上(shang)对(dui)双 TC 键合机设备日益增长的需求,确保在HBM需求激增背景下,重要(yao)零部件的稳定供应。

今年6月,SK海力士与韩(han)美半导体签(qian)署了价值1500亿韩(han)元(yuan)的TC键合设备供应合同,后者从SK海力士获得的HBM TC键合机订(ding)单累计金额已(yi)达3587亿韩(han)元(yuan)。一台(tai)TC键合机价格约20亿韩(han)元(yuan)。

此外,在今年4月,美光也向韩(han)美半导体提供了价值226亿韩(han)元(yuan)的TC Bonder采购订(ding)单,这(zhe)一举措(cuo)不仅加强了双方的合作关系,也体现了美光对(dui)于供应链稳定性和可靠性的高度重视。通过与韩(han)美半导体的合作,美光将能够更好(hao)地应对(dui)市场需求的变化,确保HBM3E产(chan)品(pin)的稳定供应。

韩(han)美半导体在大幅扩(kuo)展其(qi)半导体后端工艺(yi)设备产(chan)品(pin)组合的同时,还计划于2026年推出“混合键合”设备。

目前(qian)韩(han)美半导体已(yi)获得来自SK海力士和美光的的 HBM 键合设备订(ding)单,预计未来还将增加其(qi)他(ta)客户订(ding)单。韩(han)美半导体首席执行官Kwak Dong-shin表示:“目前(qian)已(yi)将今年的销(xiao)售目标提高到6500亿韩(han)元(yuan),明年提高到1.2万亿韩(han)元(yuan),2026年提高到2万亿韩(han)元(yuan)。”

有(you)分析师预测(ce),由于对(dui)TC键合机的需求不断(duan)增长和产(chan)能不断(duan)扩(kuo)大,韩(han)美半导体明年的产(chan)能将从今年的每月22台(tai)扩(kuo)大到每月35台(tai)。

SEMES:TC键合机营收(shou)将提升2.5倍

据悉,三星电子旗(qi)下子公司SEMES一年内(nei)已(yi)给三星交(jiao)付近百(bai)台(tai)TC键合机。

SEMES生产(chan)针对(dui)TC-NCF工艺(yi)优化的TC键合机,并将其(qi)供应给三星,该工艺(yi)涉(she)及每次堆叠芯片时铺设薄(bao)膜材(cai)料。

尽管韩(han)美半导体目前(qian)拥有(you)技术优势,但(dan)SEMES正(zheng)在迅速(su)缩小差距。在TCB技术和工艺(yi)良率方面取(qu)得的成就使SEMES在一年内(nei)出货了100台(tai)TC键合设备。并积极开发混合键合(Hybrid Bonding)设备。

今年4月,三星使用子公司SEMES的混合键合设备成功制(zhi)作了HBM 16H样(yang)品(pin),并验证了其(qi)正(zheng)常运作。

据韩(han)媒(mei)Deal Site报道,SEMES的技术突破与三星业绩提升的协同效应有(you)望大幅增强,三星HBM产(chan)量有(you)望大幅增加,有(you)望为SEMES带来大量设备订(ding)单,带动营收(shou)增长,并形成技术投(tou)入的良性循环。

2021年,三星的强劲表现推动SEMES成为韩(han)国首家(jia)营收(shou)突破3万亿韩(han)元(yuan)的半导体设备公司。三星计划在2024年将HBM产(chan)能提高至2023年的三倍,这(zhe)对(dui)SEMES来说无疑是一大利(li)好(hao)。

SEMES的目标是在2024年实现实现TC键合机销(xiao)售额超过2500亿韩(han)元(yuan),约为2023年的2.5倍。

随着(zhe)包括三星在内(nei)的多家(jia)存储芯片厂商提高HBM产(chan)能,迭代HBM产(chan)品(pin),预计SEMES公司TCB设备的整体收(shou)入将上(shang)升。不过,目前(qian)三星仍在很大程度上(shang)依赖东丽、Shinkawa(新川)等日本公司的设备,如(ru)果SEMES要(yao)想提升业绩,还需进一步(bu)加强设备投(tou)资和开发的多元(yuan)化。

韩(han)华精密机械:打入SK海力士供应链

作为SK海力士在HBM发展中的TCB主力厂商 , 一直与SK海力士荣辱(ru)与共(gong)的韩(han)美半导体, 在下一代TCB设备上(shang)则遭(zao)受韩(han)华精密机械(Hanwha Precision Machinery)与ASMP的竞争。

据韩(han)媒(mei)报道,SK海力士将在2024年下半购买(mai)30多台(tai)用于12层第五代HBM(HBM3E)的可进行加热回流的TC键合机。

但(dan)韩(han)美半导体最新的第四(si)代设备「Dual TC Bonder Tiger」尚未在SK海力士完全实现hMR的demo ,无法执行加热质量回流工艺(yi),正(zheng)在改善设备效能,且获得生产(chan)效率须(xu)提高的评价;ASMPT设备的hMR制(zhi)程质量虽在评价方面优于韩(han)美半导体,但(dan)有(you)声音表示ASMPT设备尺寸较大,ASMPT也正(zheng)依照SK海力士的要(yao)求改善设备。

然而韩(han)华精密机械TCB设备样(yang)品(pin)的测(ce)试结(jie)果优于韩(han)美半导体,韩(han)华精密机械于6月10日与SK海力士签(qian)署协议,将向SK海力士供应两台(tai)TC键合机,该设备由双方合作开发,最近已(yi)通过外部质量测(ce)试。韩(han)华的两台(tai)设备用于评估,尚未投(tou)入生产(chan)。SK海力士计划在7月底之前(qian)评估其(qi)配备键合机的生产(chan)线。如(ru)果键合机通过生产(chan)线评估,SK海力士预计将在今年下半年批量订(ding)购。

据悉,韩(han)华精密机械为消化相(xiang)关设备订(ding)单,正(zheng)在南(nan)韩(han)昌原工厂新增组装设备。

引起外界(jie)关注的是,这(zhe)是韩(han)华精密机械首次供应TCB设备给SK海力士的HBM生产(chan)线。业界(jie)人士指出,SK海力士制(zhi)造部门(men)自韩(han)华精密机械制(zhi)造设备阶段参与,假使韩(han)华精密机械不能通过SK海力士测(ce)试,SK海力士TCB设备仍会走向双轨制(zhi)、三分局面。

ASMPT携手美光,瞄准TC键合机

ASMPT也是HBM中用到的TC键合机供应商之一。

今日,ASMPT与美光公司宣布了一项(xiang)重要(yao)的合作,ASMPT已(yi)向美光提供了专用于HBM生产(chan)的TC键合机,双方将携手开发下一代键合技术,以支持HBM4的生产(chan)。

这(zhe)一合作标志着(zhe)ASMPT在半导体后端制(zhi)造设备领域的领先(xian)地位(wei)得到了进一步(bu)巩固,同时也显示出美光对(dui)于前(qian)沿内(nei)存技术的持续追求和投(tou)入。

美光作为内(nei)存行业的领军企(qi)业,一直致力于推动内(nei)存技术的创新和发展。除了与ASMPT的合作外,美光还从日本新川半导体和韩(han)美半导体采购了TC键合机,用于生产(chan)当前(qian)的HBM3E产(chan)品(pin)。

受益于人工智能的蓬勃发展,先(xian)进封装设备成为ASMPT的主要(yao)增长动力,公司热压式固晶(TCB)设备、混合键合式固晶(HB)设备可广泛应用于AI加速(su)卡的2.5D/3D封装和HBM的3D堆叠封装。

截止24Q1季报,ASMPT的TCB产(chan)品(pin)已(yi)经(jing)应用于头部晶圆代工厂C2S和C2W工艺(yi),并导入头部HBM厂商用于12层HBM堆叠。HB设备亦在2023年获得用于3D封装的2台(tai)订(ding)单,并在与客户开发下一代HB产(chan)品(pin)。

日本设备厂商,竞逐TC键合机

众所周(zhou)知,除了ASMPT外,美光一直在使用日本新川和东丽的TC键合机,两家(jia)公司都是TC键合机行业的传统参与者。

此外,据韩(han)媒(mei)TheElec去年12月报道,三星已(yi)向日本新川公司(Shinkawa)订(ding)购了16台(tai)2.5D键合设备。报道引述消息人士称,目前(qian)三星已(yi)收(shou)到7台(tai)设备,可能在需要(yao)时申请剩余的设备。这(zhe)很可能是为了给英伟达下一代的AI芯片提供HBM3和2.5D封装服务。

然而,据消息人士透露(lu),由于新川半导体正(zheng)在向其(qi)最大客户三星电子供应TC键合机,导致无法及时满足美光的需求。与韩(han)国主要(yao)竞争对(dui)手相(xiang)比,美光一直因产(chan)能不足而受到批评。

因此,美光决定增加韩(han)美半导体作为第二供应商,希望通过与跟多设备厂商的交(jiao)易加快HBM产(chan)能的扩(kuo)张。

此外,荷(he)兰企(qi)业BESI也在积极开发TC键合设备,以及一系列设备环节厂商都在积极部署,以满足市场对(dui)高性能内(nei)存封装技术的需求。

混合键合技术,为设备带来新动能

当前(qian)HBM实现多层DRAM互联的主要(yao)解决方案(an)为TC-NCF与MR-MUF两种。

TC+NCF工艺(yi)中先(xian)使用非导电薄(bao)膜填充DRAM die微(wei)凸点侧的微(wei)凸点间空隙,之后使用热压键合工艺(yi)连接两层die,三星和美光主要(yao)使用该种方案(an);TC+MR MUF,批量回流模制(zhi)底部填充是SK海力士的高端封装工艺(yi),通过将芯片贴附在电路(lu)上(shang),在堆叠时,在芯片和芯片之间使用一种称为液态环氧树(shu)脂塑封的物质填充并粘(zhan)贴。

TC-NCF和MR-MUF各有(you)优劣势。相(xiang)比回流焊接,热压焊接可以更有(you)效地控制(zhi)芯片翘曲度等,但(dan)是,由于MR-MUF是一次性完成凸块间的电气连接和芯片间的机械连接,TC-NCF需要(yao)在每一层堆叠时都进行电气和机械连接。对(dui)比NCF,MUF能有(you)效提高导热率,并改善工艺(yi)速(su)度和良率。

由于市场对(dui)HBM产(chan)品(pin)需求不断(duan)增加,预计未来将需要(yao)12-16层甚至更高的多芯片堆叠技术。为了实现这(zhe)一目标,不仅需要(yao)减小芯片的厚度和凸块电极的尺寸,还需要(yao)去除芯片之间的填充物。对(dui)此,混合键合技术(Hybrid Bonding)可以大幅缩小电极尺寸,从而增加单位(wei)面积上(shang)的I/O数量,进而大幅降低(di)功耗。

与此同时,混合键合方法可以显著缩小芯片之间的间隙,由此实现大容量封装。此外,它还可以改善芯片散热性能,降低(di)芯片厚度,有(you)效地解决因耗电量增加而引起的散热问题。

混合键合成为大厂布局的下一代键合技术,其(qi)可以分为W2W和D2W,前(qian)者因为生产(chan)效率高等优势而商业化程度比较高,后者至今只(zhi)有(you)AMD某款芯片一个应用场景,可以减少(shao)浪费。

三星电子在2024年IEEE国际会议上(shang)发布了一篇韩(han)文论文,详细(xi)阐述了其(qi)在HBM领域取(qu)得的重大突破。该论文明确指出,为了实现16层及以上(shang)的HBM内(nei)存堆叠,必须(xu)采用混合键合技术,称这(zhe)一创新技术将引领内(nei)存封装领域的新潮流。三星计划于2025年制(zhi)造HBM4样(yang)品(pin),该样(yang)品(pin)将采用16层堆叠设计,并预计于2026年实现量产(chan)。

另一边(bian),SK海力士也计划于2026年在其(qi)HBM生产(chan)中采用混合键合,目前(qian)半导体封装公司Genesem已(yi)提供两台(tai)下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂,用于测(ce)试混合键合工艺(yi)。混合键合取(qu)消了铜(tong)焊盘之间使用的凸块和铜(tong)柱,并直接键合焊盘,这(zhe)意味着(zhe)芯片制(zhi)造商可以装入更多芯片进行堆叠,并增加带宽。

可以预见(jian),若未来混合键合技术在HBM上(shang)得以应用,混合键合设备市场规模将会有(you)明显扩(kuo)容。设备公司也在配合三星和SK海力士等HBM供应商积极布局混合键合技术,以降低(di)技术路(lu)径变化带来的产(chan)品(pin)替代风险。

写在最后

19世纪淘金热时期的那个道理被再一次证明:卖铲子,有(you)时比挖金子更赚钱。

因为在淘金热中,铲子是必不可少(shao)的生产(chan)工具,不管你有(you)没有(you)挖到金子,淘金的热度越(yue)大,卖出的铲子就越(yue)多。

对(dui)应到当今时代,前(qian)几(ji)年大火的比特币,挖矿的不一定赚钱,但(dan)卖矿机的是妥妥赚到了;造车(che)新势力还没有(you)盈利(li),宁(ning)德时代市值早已(yi)破万亿;国内(nei)车(che)规芯片还未卷出眉目,车(che)规认证机构已(yi)赚的盆满钵满...,这(zhe)样(yang)的例子还有(you)很多。

如(ru)今,AI热潮兴(xing)起,科技巨头不惜成本疯狂涌入,终端大模型陷入“百(bai)团大战”,一时分不出胜负。而英伟达、AMD等为代表的上(shang)游算力作为“卖铲人”角色,早已(yi)率先(xian)受益于AI浪潮。

如(ru)此,TC键合设备也成为HBM时代的“意外赢家(jia)”。

本文作者:L晨光,来源:半导体行业观察,原文标题:《HBM的意外赢家(jia)》

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