5月24日(ri)周五，三星电子发布官方声(sheng)明，对外否认了此前有关“HBM芯片因发热和功(gong)耗(hao)问题而(er)没能通过英伟达的测试”一传(chuan)闻。

声(sheng)明称：

“我们与全球多家客户HBM芯片的测试正在顺利进行，并(bing)正在进行各种测试以严格核实HBM芯片的质(zhi)量和性能。”

声(sheng)明进一步解释称，公司正在与客户共同优(you)化HBM芯片的规格，这种高端内存芯片和过去(qu)的DRAM芯片不(bu)同，需要根据客户需求进行定制。

HBM芯片（High Bandwidth Memory，高带宽(kuan)内存）是内存芯片制造商在AI时代争夺的新战场。在这一领域(yu)，三星电子正面临激烈竞争，其国内竞争对手(shou)SK海力士和美光科技已经抢先一步，成为英伟达GPU存储器HBM3和HBM3E的供应商。

此前受该(gai)传(chuan)闻影响，三星股价在早间交易中一度暴跌逾3%，跌至(zhi)75700韩元(yuan)（约合55美元(yuan)），现股价有所回升至(zhi)76500韩元(yuan)。

尽管三星电子否认了测试失败的报道，但投资者对于该(gai)公司在高端内存芯片领域(yu)的竞争力仍持谨慎态度。

去(qu)年以来，三星最新的HBM3E已经进行了多次测试，但始终未能达标(biao)。有分析指出，三星在HBM领域(yu)面临两大关键问题，一是内存芯片散热的问题，二就是英伟达为首(shou)的芯片制造商的严格标(biao)准的挑战。

本周二，三星电子任命新的半(ban)导体(ti)业务主(zhu)管郑荣(rong)炫，称人事变动的目的是“在充满不(bu)确定性的全球商业环境下，增强公司的竞争实力”。